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XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ-VGF法ゲルマニウム仕様
XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ-株式会社トゥーリーズ

XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ
株式会社トゥーリーズ

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この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 VGF/LEC/CZなど3種類の育成法によって成長させたGe (ゲルマニウム) 単結晶ウェハを1枚から量産までご提供いたします。 ※価格は数量に大きく依存します。

  • シリーズ

    XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ

企業レビュー

レビューは全てメトリー経由で実際に見積もりをしたユーザーによるものです

5.0

評判がとても良い

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2024年12月5日にレビュー

今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

初回返答までの時間・1.49時間

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XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ 品番3件

フィルター
商品画像 品番 価格 (税抜)
XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ-品番-VGF法ゲルマニウム仕様

VGF法ゲルマニウム仕様

要見積もり

垂直徐冷 (VGF)

Nタイプ,Pタイプ,Undoped

Ga or Sb

2,3,4,6 (インチ)

(100) , (111) , (110)

200~550um

EJ or US

リクエストによる

0.001~80 ohm.cm

<5,000/cm²

リクエストによる

両面研磨/表面研磨・裏面エッチング

個別カセット式パッケージ封入

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XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ-品番-CZ法ゲルマニウム仕様

CZ法ゲルマニウム仕様

要見積もり

チョクラルスキー

-/N/P

Undoped/Sb/In or Ga

- - - - -

>35/<0.05/0.05~0.1

- - - - -

<5x10²
<5x10³

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XCSW製 化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ-品番-ソーラーセル向け4インチゲルマニウム

ソーラーセル向け4インチゲルマニウム

要見積もり -

Pタイプ

Ge-Ga

100±0.25mm

(100) 9°オフ<111>±0.5°

175±10um

N/A

0.26~2.24^¹⁸

0.74~2.81^⁻²

-

無し

- - -

<300

32±1mm

N/A

N/A

382~865cm²/v.s

<15

N/A

<10

片面研磨/裏面Ground

この商品の取り扱い会社情報

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返答時間

0.9時間


企業レビュー

5.0

会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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