XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルウェハ基板-LD,LED向けサファイア基板GaN

XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルウェハ基板
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この製品について

■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

サファイア,GaN,GaAs,InP基板を中心にAl,In,As,Pなど、さまざまなⅢ-Ⅴ族エピウェハーを扱っています。 特定のエピ層構造がありましたら、詳細な層をお知らせください。 特定層にもよりますが、1枚からご提供いたします。

※価格は数量に大きく依存します。

型番
この商品には10種類の型番があります

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルウェハ基板

取扱企業
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XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルウェハ基板品番10件

フィルター

品番	価格 (税抜)	育成法 MOCVD	直径	基板厚さ 430um 350um,500um 350um 350±25um	膜層厚さ 0.2~um 1um±10% 100~200um	導電型半絶縁体 Undoped/半絶縁体 N又はP (半絶縁体) ※選択可 N	面方位 C軸 (0001) ±1° C面 (100) ±0.5°	表面仕上げ無し片面または両面エピレディ研磨片面研磨、裏面エッチド SEMI準拠	ドーパント In Fe (半絶縁体) S	転位密度 >108cm⁻² <1x106cm⁻² <1x10^⁴/cm^²	オリフラ A面	XRD FWHM <200arcsec	有効範囲 >90% ≧80%	LT-GaAsエピ層膜厚 1~3um	低温成長温度 200~250℃	基板面方位 -100	マイクロ欠陥密度 ≦5cm⁻²	抵抗値 (300K) >108ohm-cm >1x10^⁷ohm.cm	キャリア濃度 <0.5ps >E18Ω.cm (導電型に関わらず)	主基板 SドープInP GaAs InP GaN	膜層 InGaAsP/InGaAs GaAsとAlAs	PL波長 1,500±3~5nm	歪み -1.0±0.1%	エピタキシャル層数 8~20	総膜層厚さ 1.0~3.0um	EDP <1E4/cm²
LD,LED向けサファイア基板GaN	要見積もり	MOCVD	φ50.8mm	430um	0.2~um	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
サファイア基板AlN	要見積もり	-	φ50.8mm	-	1um±10%	半絶縁体	C軸 (0001) ±1°	無し	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
サファイア基板InGaN	要見積もり	-	φ50.8mm	-	100~200um	-	C軸 (0001) ±1°	片面または両面エピレディ研磨	In	>108cm⁻²	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
サファイア基板AlGaN	要見積もり	-	φ50.8mm	-	1um±10%	半絶縁体	C面	-	-	-	A面	<200arcsec	>90%	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
THz検出向けGaAs基板LT-GaAs	要見積もり	-	φ50.8mm	350um,500um	-	Undoped/半絶縁体	-	-	-	<1x106cm⁻²	-	-	≧80%	1~3um	200~250℃	-100	≦5cm⁻²	>108ohm-cm	<0.5ps	-	-	-	-	-	-	-
PIN向けInP基板InGaAs	要見積もり	-	φ50.8mm	-	-	-	-	-	Fe (半絶縁体)	<1x10^⁴/cm^²	-	-	-	-	-	-100	-	>1x10^⁷ohm.cm	-	-	-	-	-	-	-	-
1.55umQWレーザー向けInP基板InGaAsP/InGaAs	要見積もり	MOCVD	φ50.8mm	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SドープInP	InGaAsP/InGaAs	1,500±3~5nm	-1.0±0.1%	8~20	1.0~3.0um	-
GaAs基板AlAs	要見積もり	-	φ50.8mm	350um	-	N又はP (半絶縁体) ※選択可	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	>E18Ω.cm (導電型に関わらず)	GaAs	GaAsとAlAs	-	-	-	-	-
InP基板InGaAs/InP	要見積もり	-	φ50.8mm	350±25um	-	N	(100) ±0.5°	片面研磨、裏面エッチド SEMI準拠	S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	InP	-	-	-	-	-	<1E4/cm²
GaN基板InGaAs/InP	要見積もり	-	φ50.8mm	350um	-	N	(100) ±0.5°	-	S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	GaN	-	-	-	-	-	<1E4/cm²