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シリーズ
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板取扱企業
株式会社トゥーリーズ商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 育成法 | 直径 | 基板厚さ | 膜層厚さ | 導電型 | 面方位 | 表面仕上げ | ドーパント | 転位密度 | オリフラ | XRD FWHM | 有効範囲 | LT-GaAsエピ層膜厚 | 低温成長温度 | 基板面方位 | マイクロ欠陥密度 | 抵抗値 (300K) | キャリア濃度 | 主基板 | 膜層 | PL波長 | 歪み | エピタキシャル層数 | 総膜層厚さ | EDP | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LD,LED向けサファイア基板GaN |
要見積もり | MOCVD | φ50.8mm | 430um | 0.2~um | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
サファイア基板AlN |
要見積もり | - | φ50.8mm | - | 1um±10% | 半絶縁体 | C軸 (0001) ±1° | 無し | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
サファイア基板InGaN |
要見積もり | - | φ50.8mm | - | 100~200um | - | C軸 (0001) ±1° | 片面または両面エピレディ研磨 | In | >108cm⁻² | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
サファイア基板AlGaN |
要見積もり | - | φ50.8mm | - | 1um±10% | 半絶縁体 | C面 | - | - | - | A面 | <200arcsec | >90% | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
THz検出向けGaAs基板LT-GaAs |
要見積もり | - | φ50.8mm | 350um,500um | - | Undoped/半絶縁体 | - | - | - | <1x106cm⁻² | - | - | ≧80% | 1~3um | 200~250℃ | -100 | ≦5cm⁻² | >108ohm-cm | <0.5ps | - | - | - | - | - | - | - | ||
PIN向けInP基板InGaAs |
要見積もり | - | φ50.8mm | - | - | - | - | - | Fe (半絶縁体) | <1x10^⁴/cm^² | - | - | - | - | - | -100 | - | >1x10^⁷ohm.cm | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
1.55umQWレーザー向けInP基板InGaAsP/InGaAs |
要見積もり | MOCVD | φ50.8mm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SドープInP | InGaAsP/InGaAs | 1,500±3~5nm | -1.0±0.1% | 8~20 | 1.0~3.0um | - | ||
GaAs基板AlAs |
要見積もり | - | φ50.8mm | 350um | - | N又はP (半絶縁体) ※選択可 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | >E18Ω.cm (導電型に関わらず) | GaAs | GaAsとAlAs | - | - | - | - | - | ||
InP基板InGaAs/InP |
要見積もり | - | φ50.8mm | 350±25um | - | N | (100) ±0.5° | 片面研磨、裏面エッチド SEMI準拠 | S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | InP | - | - | - | - | - | <1E4/cm² | ||
GaN基板InGaAs/InP |
要見積もり | - | φ50.8mm | 350um | - | N | (100) ±0.5° | - | S | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | GaN | - | - | - | - | - | <1E4/cm² |