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XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-LD,LED向けサファイア基板GaN
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-株式会社トゥーリーズ

XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板
株式会社トゥーリーズ

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この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 サファイア,GaN,GaAs,InP基板を中心にAl,In,As,Pなど、さまざまなⅢ-Ⅴ族エピウェハーを扱っています。 特定のエピ層構造がありましたら、詳細な層をお知らせください。 特定層にもよりますが、1枚からご提供いたします。 ※価格は数量に大きく依存します。

  • シリーズ

    XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板

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XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板 品番10件

フィルター
商品画像 品番 価格 (税抜) 育成法 直径 基板厚さ 膜層厚さ 導電型 面方位 表面仕上げ ドーパント 転位密度 オリフラ XRD FWHM 有効範囲 LT-GaAsエピ層膜厚 低温成長温度 基板面方位 マイクロ欠陥密度 抵抗値 (300K) キャリア濃度 主基板 膜層 PL波長 歪み エピタキシャル層数 総膜層厚さ EDP
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-LD,LED向けサファイア基板GaN

LD,LED向けサファイア基板GaN

要見積もり MOCVD φ50.8mm 430um 0.2~um - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-サファイア基板AlN

サファイア基板AlN

要見積もり - φ50.8mm - 1um±10% 半絶縁体 C軸 (0001) ±1° 無し - - - - - - - - - - - - - - - - - -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-サファイア基板InGaN

サファイア基板InGaN

要見積もり - φ50.8mm - 100~200um - C軸 (0001) ±1° 片面または両面エピレディ研磨 In >108cm⁻² - - - - - - - - - - - - - - - -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-サファイア基板AlGaN

サファイア基板AlGaN

要見積もり - φ50.8mm - 1um±10% 半絶縁体 C面 - - - A面 <200arcsec >90% - - - - - - - - - - - - -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-THz検出向けGaAs基板LT-GaAs

THz検出向けGaAs基板LT-GaAs

要見積もり - φ50.8mm 350um,500um - Undoped/半絶縁体 - - - <1x106cm⁻² - - ≧80% 1~3um 200~250℃ -100 ≦5cm⁻² >108ohm-cm <0.5ps - - - - - - -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-PIN向けInP基板InGaAs

PIN向けInP基板InGaAs

要見積もり - φ50.8mm - - - - - Fe (半絶縁体) <1x10^⁴/cm^² - - - - - -100 - >1x10^⁷ohm.cm - - - - - - - -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-1.55umQWレーザー向けInP基板InGaAsP/InGaAs

1.55umQWレーザー向けInP基板InGaAsP/InGaAs

要見積もり MOCVD φ50.8mm - - - - - - - - - - - - - - - - SドープInP InGaAsP/InGaAs 1,500±3~5nm -1.0±0.1% 8~20 1.0~3.0um -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-GaAs基板AlAs

GaAs基板AlAs

要見積もり - φ50.8mm 350um - N又はP (半絶縁体) ※選択可 - - - - - - - - - - - - >E18Ω.cm (導電型に関わらず) GaAs GaAsとAlAs - - - - -
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-InP基板InGaAs/InP

InP基板InGaAs/InP

要見積もり - φ50.8mm 350±25um - N (100) ±0.5° 片面研磨、裏面エッチド SEMI準拠 S - - - - - - - - - - InP - - - - - <1E4/cm²
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-GaN基板InGaAs/InP

GaN基板InGaAs/InP

要見積もり - φ50.8mm 350um - N (100) ±0.5° - S - - - - - - - - - - GaN - - - - - <1E4/cm²

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会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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