テラヘルツ発生結晶 InP結晶
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この製品について

名称：リン化インジウム≒インジウム燐 (Ⅲ) 

InP結晶基板はGaAsやGaPと比べ、格子定数が大きく、他の材料と整合させたInGaAs,InGaAsPなど様々なエピタキシャル成長せること可能です。それらエピタキシャル基板と合わせ、光通信機器のモジュール、デバイスや赤外・放射線検出器などに活用されています。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
テラヘルツ発生結晶 InP結晶

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

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2024年12月5日にレビュー

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テラヘルツ発生結晶 InP結晶品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	育成法	ドーパント	導電型 (タイプ)	キャリア濃度	モビリティ	直径	厚み	面方位	Off-面方位	表面	TTV	Bow/Warp	グレード
	InP	要見積もり	LEC,VGF	S/Zn/Fe/ドープ無し	N/P, 半導体/半絶縁体	>1E6~8E18cm⁻³ ドープによる	>1000cm²/v.s	φ2",φ3",φ4" 他各種角板加工	350~625um	<100>,<111>,<110>	Off2°~10°	片面・両面研磨	≦10um	≦20um	エピタキシャル/メカニカル