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半導体結晶 サファイアウェハ-ウィンドウ・基板-Al2O3 (Sapphire)
半導体結晶 サファイアウェハ-ウィンドウ・基板-株式会社トゥーリーズ

半導体結晶 サファイアウェハ-ウィンドウ・基板
株式会社トゥーリーズ

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この製品について

■概要

天然石の宝石ではなく、主に光学分野に利用する純度の高い人造結晶です。無色透明。純度が悪いサファイアは若干色味がかかる。不純物にクロムが多いと赤色、鉄,チタンが多いと青色になる。

■用途

光学ウィンドウ:200~5,500nmの波長帯域において70~90%の透過性を持っています。耐熱性、熱伝導性、耐薬品性、絶縁性など様々な分野で扱いやすい性能を秘めており、強度 (硬度) の高さを活用した超高真空窓材など各種加工品も弊社では扱っています。半導体分野ではサファイアを基盤としたGaN on Sappihre,AlN on Sapphireなどあり、C面,A面,R面,M面なども取り使っております。

■面方位

C面がGaNエピタキシャル成長用基板として最もポピュラーな軸面方位です。フェムト秒レーザー向け窓でC軸,R軸など複屈折を最小化した方位の提供もしております。 C面= (0001) A面= (11-20) R面= (1-102) M面= (10-10) ランダムカット ・特殊面方位 発光効率を向上させるために主に非極性/半極性C軸平面サファイア基板にGaNエピタキシャル層の成長に使われます。一般的にGaNエピタキシーは極性一致軸のC軸に沿って成長させますが、 これにより、GaNベースのデバイスに活性層量子井戸に強力な電界が発生する上、発光効率が低下します。非極性面GaNエピタキシャルを開発することで、この物理現象を克服し、発光効率改善が見込めるかもしれません。

  • シリーズ

    半導体結晶 サファイアウェハ-ウィンドウ・基板

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半導体結晶 サファイアウェハ-ウィンドウ・基板 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 結晶格子定数 結晶構造 透過範囲 反射損失 屈折率 dn/dT dn/du=0 光学的均一性 熱伝導率 熱膨張係数 比熱 密度 融点 モース硬度 ヤング率 せん断弾性率 体積弾性率 見かけ弾性限界 誘電率 ポアソン比
半導体結晶 サファイアウェハ-ウィンドウ・基板-品番-Al2O3 (Sapphire)

Al2O3 (Sapphire)

要見積もり a=b=4.758 Å, c=12.991Å 六角形 180~5,500nm 常光11.7%,異常光14.2% (1.06um両面) no1.75449, ne1.74663 (1.06um) 13.7x10⁻⁶at5.4um
1.5um
(dN/dT dN/dT=0時)
Δn <10⁻⁶/cm> 27.21W/ (mxK) at300K (20℃) C軸平行5.6x10⁻⁶K
C軸垂直5.0x10⁻⁶/K
419Jkg⁻¹K⁻¹ 20℃/9.71W m/K 2,040℃ 9 335GPa 148.1GPa 240GPa 275GPa C軸平行11.5 (1MHz) 0.25

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会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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