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この製品について

■高性能・高信頼性のメモリ

私たちが現在提供しているのは、FeRAM (強誘電体メモリ) とReRAM (抵抗変化型メモリ) の製品ファミリーです。どちらも不揮発性メモリですが、それぞれ異なる特長をもっているため得意とする用途も異なります。FeRAMの強みは、保証できるデータの書換回数が多いことです。最大100兆回のデータ書換えが可能なため、データの書換を頻繁に行うアプリケーションに使用することでその能力を発揮できます。 例えば、メーターや計測機器、産業ロボット、自動車など情報を記録するメモリとして採用されています。

■FeRAMの特長

強誘電体メモリのFeRAMは、「不揮発性」「高書換耐性」「高速書込み」「低消費電力」の4つの特長を備えたメモリです。

■不揮発性

・電源を切ってもデータが消えない ・バッテリーフリー (グリーン化製品)

■高書換耐性

・最大100兆回 (10^14回) の書換えを保証 ・書換回数がEEPROMの最大1億倍

■高速書込み

・データの重ね書きが可能 ・書換えコマンドの発行不要 ・消去時間、書込みの待ち時間が不要

■FeRAM搭載RFID

私たちのFeRAM搭載RFIDの特長は、メモリ容量が大きく書込み速度が速いことです。例えば、生産工場の工程履歴記録のタグに利用することで、高速書込みにより工程のスループットを短縮できます。また、無線とSPIの2つのインタフェースをもつ製品群では、データの記録には高速処理ができるSPIを使用し、機器の電源がオフになった場合でも書き込まれたデータを無線で読み出すことができます。 このように、データを大量のタグに高速書込みすることで作業時間の短縮や、装置が停電などから復旧するときのリスク回避ができます。

  • シリーズ

    FeRAM搭載RFID

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FeRAM搭載RFID 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 動作周波数 メモリ容量 通信規格 インターフェース データ書換回数

MB97R8110

要見積もり

UHF帯860~960MHz

8Kバイト

ISO/IEC18000-63
EPC C1G2 Ver.1.2.0

SPI (Master/Slave)

10兆回

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は2020年に設立された、メモリ製品・ソリューションの設計・開発をしている企業です。 半導体メモリの一種で、特殊な性質を持つ絶縁体である強誘電体を材料に使用している強誘...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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