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SiCウェハー／SiC Wafer取扱企業
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ポリタイプ | 導電タイプ | 直径 (mm) | 厚さ (µm) | MPDグレード (cm2) | FWHM (arcsec) | 有効面積 | 面方位 | 主オリフラ (°) | 主オリフラ長さ (mm) | 副オリフラ (°) | 副オリフラ長さ (mm) | 表面仕上 | 裏面仕上 | TTV (µm) | Warp (µm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Φ2"SiC ウェハー |
要見積もり |
6H／4H |
N-Type、Semi-insulating (半絶縁) |
50.8 ± 0.5 |
350 ± 25、500 ± 25 |
≤ 0.5、 ≤ 5、 ≤ 10 |
＜30 |
≧ 90% |
N-Type:＜0001＞4 ° off ± 0.5 °/ Semi-insulating:＜0001＞0 °off±0.5° |
＜10-10＞ ± 5 |
16 ± 2 |
主オリフラより時計回り90°± 5° ( Si面を上にする) |
8 ± 2 |
CMP 研磨、Ra ≤ 0.3nm |
鏡面研磨、Ra ≤ 1nm |
≤10 |
≤15 |
