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セラミックRFデバイス (バンドパスタイプ) TSB1N18F2G45NS001T-TSB1N18F2G45NS001T
セラミックRFデバイス (バンドパスタイプ) TSB1N18F2G45NS001T-太陽誘電エナジーデバイス株式会社

セラミックRFデバイス (バンドパスタイプ) TSB1N18F2G45NS001T
太陽誘電エナジーデバイス株式会社



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この製品について

■特徴

・小型・低背 ・低ロス・高減衰 ・安定した温度特性

  • シリーズ

    セラミックRFデバイス (バンドパスタイプ) TSB1N18F2G45NS001T

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セラミックRFデバイス (バンドパスタイプ) TSB1N18F2G45NS001T 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 供給体制 システム 通過帯域周波数1 (f1) 挿入損失1 (max) (f1内) 挿入損失2 (max) (f1内) リップル1 (max) (f1内) VSWR1 (max) (f1内) 減衰量1 (min) (f1) 減衰量2 (min) (f1) 減衰量3 (min) (f1) 減衰量4 (min) (f1) 入力インピーダンス / 出力インピーダンス L寸法 W寸法 T寸法 使用温度範囲 RoHS指令対応 (10物質) REACH対応 (240物質) IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 ハロゲンフリー 適用はんだ付け法 標準梱包 旧品番
セラミックRFデバイス (バンドパスタイプ) TSB1N18F2G45NS001T-品番-TSB1N18F2G45NS001T

TSB1N18F2G45NS001T

要見積もり

量産 (推奨)

Bluetooth/Wi-Fi/ZigBee

2,400 to 2,500MHz

2.2dB at 2,400 to 2,500MHz (+25℃)

2.5dB at 2,400 to 2,500MHz (-40 to +85℃)

1dB at 2,400 to 2,500MHz

2.1 at 2,400 to 2,500MHz

25dB at 880 to 960MHz

25dB at 1,710 to 1,910MHz

20dB at 4,800 to 5,000MHz

20dB at 7,200 to 7,500MHz

50Ω / 50Ω

1.6 ±0.10 mm

0.8 ±0.10 mm

Max 0.5 mm

-40 to +85℃

Yes

Yes

Yes

Yes

Reflow

Taping Paper 4,000pcs

FI168B245001-T

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

太陽誘電エナジーデバイス株式会社は、電池材料の製造を行う企業です。 製造拠点として福島県に本社工場と白河工場を設け、携帯電話やパソコンに使用されるリチウムイオン電池の材料となるリチウムイオンキャパシタの製造及び販売を主...

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  • 本社所在地: 群馬県
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