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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 測定モード | 測定量 | 測定分解能 | 応答周波数 | 応答速度 | サンプリング時間 | サンプリング点数 | 計測時間 | 使用レーザ | 出射光量 | 出射ビーム数 | 出射ビーム径 | 出射ビーム拡がり | 光周波数制御 | 測定対象物反射率 | 金属保護管 | 外形 | ウオームアップ | 使用環境温度 | 消費電力 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HV400 |
要見積もり |
リアルモード (実時間計測) 、ストレージモード (サンプリング時間間隔でデータ記録) |
相対的変位量 (1プローブ2出射、2プローブタイプの場合) 、絶対的変位量 (1プローブ1出射タイプの場合) |
1nm |
サンプリング時間で異なります。DC~1MHz |
サンプリング時間で異なります。0~310mm／s |
1μs (ストレージモード) 50ms、100ms、200ms、500ms、1sより選択 (リアルモード) |
ストレージモード；次の8種より選択 1000k点、750k点、500k点、200k点、100k点、50k点、30k点、20k点、10k点、5k点、リアルモード；任意点数 |
平均化処理点数とサンプリング時間とサンプリング点数より決まる、計測時間＝サンプリング時間×サンプリング点数×平均化処理点数 |
周波数安定化HeNeレーザ (FS1M) |
100μW以上 |
1 (1出射タイプ) 2 (2出射タイプ) |
出射口にて約0.5mm |
1.5mrad以下 |
周波数シフター (FS1S) |
0.5％以上 (条件；プローブ被測定物間距離20cm、被測定物鏡面) 。集光系により、距離が短くなれば測定可能な反射率は下がります。 |
標準2m (~4m程度まで変更可) |
430mm (W) ×460mm (D) ×230mm (H) ；本体、重量15kg |
45分 |
20±5℃ |
AC100V・50/60Hz, 400W (本体) |
