ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置
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この製品について

■概要ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置 本装置はダイヤモンド基板上にヘテロエピ成長をさせることを目的とした特別なMBE装置です。 通常のMBE装置と違い小さなダイヤモンド基板に対応するため、フェイスアップタイプの基板加熱機構を用い特殊な構造をしたアルミ用分子線セルやRFラジカルビーム源、Siビーム源などの組み合わせにより、極めて高品質な薄膜の成長が実現できます。本装置は、ダイヤモンド基板上に薄膜を成長させる、ダイヤモンドにpn接合を作るなどトランジスタ作成といった構成にすることができます。

■弊社の装置は下記に紹介されています。・早稲田大学 川原田先生
・東京工業大学 波多野先生実験室紹介に弊社の装置が掲載されています。

研究の利便性を考え、BFMによるフラックス量測定、RHEEDによる成膜状態などが可能です。 極小のダイヤモンド基板を搬送しヘテロエピ成長、RHEED観測まで一台の装置で真空を破らず行えるよう、様々な工夫を凝らしております。

■特徴・フェイスアップでの蒸着が可能です。
・アルミ以外にも、下向きで動作するセルを各種用意しています。
・自動運転による成膜作業が可能です。
・超高真空を知り尽くした当社ならではの機能的な配置により、小型ながら性能と使い勝手を確保できます。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置

取扱企業
アリオス株式会社

カテゴリ

加工・工作機器

晶析装置

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ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	到達圧力	排気系	ベーキング温度	対応基板サイズ	Al セル	Si ビーム源	RHEED	RFラジカルビーム源	設置スペース
	ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置	要見積もり	1×10^-7 Pa以下 (成膜室)	800 L/sec TMP＋SCP＋N2 シュラウド＋TSP	MAX 200℃	MAX 1インチ	ルツボ容量： 5cc 最高温度： 1,000℃	取り付けフランジ： CF114 試料サイズ： φ3×L＝20mm	加速電圧： 30kV RHEEDスクリーン	13.55MHz、500W	2,000mm×800mm