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磁気抵抗メモリ MRAM-CS82xx
磁気抵抗メモリ MRAM-株式会社セイワ

磁気抵抗メモリ MRAM
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MRAMとは、記憶素子の素材の一部に磁性体を用い、磁化の状態の変化によって信号の記録を行うもの。電源が失われても記録された情報が消えない不揮発性メモリに分類されます。MRAMはDRAM並に記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。フラッシュメモリのように通電しなくても記憶を維持できる不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。

  • シリーズ

    磁気抵抗メモリ MRAM

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2024年8月29日にレビュー

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磁気抵抗メモリ MRAM 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) Density I/O Vcc. Speed
磁気抵抗メモリ MRAM-品番-CS82xx

CS82xx

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1Mbit

x4

1.71~1.98V

108MHz

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使用用途

#データ保存 #画像処理構成 #音声処理構成 #組込み機器構成 #ログ記録

記憶方式

揮発性メモリ 不揮発性メモリ 書換可能メモリ

構造方式

DRAM NOR型フラッシュ

Capacity GB

10 - 100

Voltage V

1 - 1.2 1.2 - 1.4 1.4 - 1.6 1.6 - 2

容量 GB

0 - 1 10 - 200

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