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厚さ (um)
ドーパント
FWHM (arcsec)
マイクロ欠陥密度 (cm⁻²)
プライマリーフラット
プライマリーフラット (mm)
密度 (kg.m³)
3.21^10³
熱膨張係数 (K)
4~5x10⁻⁶
熱伝導率 (W/mK)
490
絶縁破壊電解強度 (V/m)
2~4^10⁸
飽和ドリフト速度 (m/s)
20^10⁵
モース硬度
~9
グレード
量産 リサーチ ダミー
表面粗さ
<0.5nm (Si面CMP研磨) <1nm (C面光学研磨)
面方位
<0001>±0.5°
セカンダリーフラット
Si面90° C面90°
表面仕上げ
片面or両面研磨
有効径
中心から90%
型番
3"4H-SiC 半絶縁体orNタイプ取扱企業
株式会社トゥーリーズMetoree経由で見積もり
2024年12月5日にレビュー済み
顧客対応への満足度
今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。
初回対応までの時間への満足度
1.49時間
| 商品画像 | 価格 (税抜) | グレード | ポリタイプ | 直径 (mm) | 厚さ (um) | キャリアタイプ | ドーパント | 比抵抗 (Ω·cm) | 表面粗さ | FWHM (arcsec) | マイクロ欠陥密度 (cm⁻²) | 面方位 | OFF軸 | プライマリーフラット | プライマリーフラット (mm) | セカンダリーフラット | セカンダリーフラット長 (mm) | 表面仕上げ | 有効径 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
要見積もり |
量産 リサーチ ダミー |
4H | 76.2±0.38 | 350/430±25um | N or 半絶縁体 |
Nタイプ：窒素 半絶縁体：V |
半絶縁体：>1E5 Nタイプ：0.015~0.028 |
<0.5nm (Si面CMP研磨) <1nm (C面光学研磨) |
量産: <30 リサーチ/ダミー: <50 |
量産: ≦1,≦10cm⁻² リサーチ: ≦30,≦50 ダミー： ≦100* |
<0001>±0.5° | 4°又は8°向け<11-20>±0.5° |
Nタイプ:<1-100>±5° >半絶縁体:<11-20>±5° |
22.22±3.17 |
Si面90° C面90° |
11±1.7mm | 片面or両面研磨 | 中心から90% |
