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XCSW製 化合物・半導体結晶 SiCウェハ・エピタキシャル基板-株式会社トゥーリーズ

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返答率

100.0%

返答時間

0.9時間

全型番で同じ値の指標

密度 (kg.m³)

3.21^10³

熱膨張係数 (K)

4~5x10⁻⁶

熱伝導率 (W/mK)

490

絶縁破壊電解強度 (V/m)

2~4^10⁸

飽和ドリフト速度 (m/s)

20^10⁵

モース硬度

~9

グレード

量産 リサーチ ダミー

表面粗さ

<0.5nm (Si面CMP研磨) <1nm (C面光学研磨)

面方位

<0001>±0.5°

セカンダリーフラット

Si面90° C面90°

表面仕上げ

片面or両面研磨

有効径

中心から90%

この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。 現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。光電子工学、高温、高出力、高周波など各種デバイス向けSiCウェハを提供しております。

■特徴

・Siと比べてバンドギャップが優れた6H-SiC,4H-SiCをご提供いたします。 ・パワーデバイス作成には4HSiCが有用です。

  • 型番

    SiCウェハ/4H

企業レビュー

レビューは全てメトリー経由で実際に見積もりをしたユーザーによるものです

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評判がとても良い

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2024年12月5日にレビュー

今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

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XCSW製 化合物・半導体結晶 SiCウェハ・エピタキシャル基板 SiCウェハ/4Hの性能表

商品画像 価格 (税抜) 格子定数 スタッキングシーケンス バンドギャップ (eV) 密度 (kg.m³) 熱膨張係数 (K) 熱伝導率 (W/mK) 屈折率 誘電率 絶縁破壊電解強度 (V/m) 飽和ドリフト速度 (m/s) 電子移動速度 (V.S) ホール移動速度 (V.S) モース硬度
XCSW製 化合物・半導体結晶 SiCウェハ・エピタキシャル基板-品番-SiCウェハ/4H 要見積もり a=3.076Å
c=10.053Å
ABCB 3.26 3.21^10³ 4~5x10⁻⁶ 490 no=2.719
ne=2.777
9.6 2~4^10⁸ 20^10⁵ 800cm² 115cm² ~9

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この商品の取り扱い会社情報

返答率

100.0%


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0.9時間


企業レビュー

5.0

会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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