■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

VGF/LEC/CZなど3種類の育成法によって成長させたGe (ゲルマニウム) 単結晶ウェハを1枚から量産までご提供いたします。

※価格は数量に大きく依存します。

型番
ソーラーセル向け4インチゲルマニウム

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

企業レビュー

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2024年12月5日にレビュー

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XCSW製化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハソーラーセル向け4インチゲルマニウムの性能表

商品画像	価格 (税抜)	導電型	ドーパント	ウェハサイズ	結晶方位	基板厚	オリフラ (OF)	キャリア濃度	抵抗値	レーザーマーキング	EPD (cm²)	プライマリフラット長	セカンドオリフラ	セカンドフラット長	モビリティ	TTV	TIR	BOW/Warp	研磨
	要見積もり	Pタイプ	Ge-Ga	100±0.25mm	(100) 9°オフ<111>±0.5°	175±10um	N/A	0.26~2.24^¹⁸	0.74~2.81^⁻²	無し	<300	32±1mm	N/A	N/A	382~865cm²/v.s	<15	N/A	<10	片面研磨/裏面Ground