■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

VGF/LEC/CZなど3種類の育成法によって成長させたGe (ゲルマニウム) 単結晶ウェハを1枚から量産までご提供いたします。

※価格は数量に大きく依存します。

型番
VGF法ゲルマニウム仕様

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

企業レビュー

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2024年12月5日にレビュー

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XCSW製化合物・半導体結晶 Ge基板・エピタキシャルウェハ VGF法ゲルマニウム仕様の性能表

商品画像	価格 (税抜)	育成法	導電型	ドーパント	ウェハサイズ	結晶方位	基板厚	オリフラ (OF)	キャリア濃度	抵抗値	エッチピット密度	レーザーマーキング	ウェハー表面	エピレディ	パッケージ
	要見積もり	垂直徐冷 (VGF)	Nタイプ,Pタイプ,Undoped	Ga or Sb	2,3,4,6 (インチ)	(100) , (111) , (110)	200~550um	EJ or US	リクエストによる	0.001~80 ohm.cm	<5,000/cm²	リクエストによる	両面研磨/表面研磨・裏面エッチング	有	個別カセット式パッケージ封入