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基板厚さ
抵抗値 (300K)
キャリア濃度
育成法
MOCVD
直径
φ50.8mm
オリフラ
A面
XRD FWHM
<200arcsec
LT-GaAsエピ層膜厚
1~3um
低温成長温度
200~250℃
基板面方位
-100
マイクロ欠陥密度
≦5cm⁻²
PL波長
1,500±3~5nm
歪み
-1.0±0.1%
エピタキシャル層数
8~20
総膜層厚さ
1.0~3.0um
EDP
<1E4/cm²
型番
InP基板InGaAs/InP取扱企業
株式会社トゥーリーズMetoree経由で見積もり
2024年12月5日にレビュー済み
顧客対応への満足度
今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。
初回対応までの時間への満足度
1.49時間
商品画像 | 価格 (税抜) | 直径 | 基板厚さ | 導電型 | 面方位 | 表面仕上げ | ドーパント | 主基板 | EDP |
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要見積もり | φ50.8mm | 350±25um | N | (100) ±0.5° | 片面研磨、裏面エッチド SEMI準拠 | S | InP | <1E4/cm² |