全てのカテゴリ
閲覧履歴
基板厚さ
抵抗値 (300K)
キャリア濃度
育成法
MOCVD
直径
φ50.8mm
オリフラ
A面
XRD FWHM
<200arcsec
LT-GaAsエピ層膜厚
1~3um
低温成長温度
200~250℃
基板面方位
-100
マイクロ欠陥密度
≦5cm⁻²
PL波長
1,500±3~5nm
歪み
-1.0±0.1%
エピタキシャル層数
8~20
総膜層厚さ
1.0~3.0um
EDP
<1E4/cm²
型番
PIN向けInP基板InGaAs取扱企業
株式会社トゥーリーズレビューは全てメトリー経由で実際に見積もりをしたユーザーによるものです
5.0
評判がとても良い
2024年12月5日にレビュー
今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。
初回返答までの時間・1.49時間| 商品画像 | 価格 (税抜) | 直径 | ドーパント | 転位密度 | 基板面方位 | 抵抗値 (300K) |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
要見積もり | φ50.8mm | Fe (半絶縁体) | <1x10^⁴/cm^² | -100 | >1x10^⁷ohm.cm |