■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

サファイア,GaN,GaAs,InP基板を中心にAl,In,As,Pなど、さまざまなⅢ-Ⅴ族エピウェハーを扱っています。 特定のエピ層構造がありましたら、詳細な層をお知らせください。 特定層にもよりますが、1枚からご提供いたします。

※価格は数量に大きく依存します。

型番
THz検出向けGaAs基板LT-GaAs

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルウェハ基板

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

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XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルウェハ基板 THz検出向けGaAs基板LT-GaAsの性能表

商品画像	価格 (税抜)	直径	基板厚さ	導電型	転位密度	有効範囲	LT-GaAsエピ層膜厚	低温成長温度	基板面方位	マイクロ欠陥密度	抵抗値 (300K)	キャリア濃度
	要見積もり	φ50.8mm	350um,500um	Undoped/半絶縁体	<1x106cm⁻²	≧80%	1~3um	200~250℃	-100	≦5cm⁻²	>108ohm-cm	<0.5ps

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会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

本社所在地: 神奈川県

THz検出向けGaAs基板LT-GaAs | XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板 株式会社トゥーリーズ

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XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板 THz検出向けGaAs基板LT-GaAsの性能表

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