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XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-株式会社トゥーリーズ

株式会社トゥーリーズの対応状況

返答率

100.0%

返答時間

0.8時間

返信のとても早い企業

全型番で同じ値の指標

育成法

MOCVD

直径

φ50.8mm

オリフラ

A面

XRD FWHM

<200arcsec

LT-GaAsエピ層膜厚

1~3um

低温成長温度

200~250℃

基板面方位

-100

マイクロ欠陥密度

≦5cm⁻²

PL波長

1,500±3~5nm

歪み

-1.0±0.1%

エピタキシャル層数

8~20

総膜層厚さ

1.0~3.0um

EDP

<1E4/cm²

この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 サファイア,GaN,GaAs,InP基板を中心にAl,In,As,Pなど、さまざまなⅢ-Ⅴ族エピウェハーを扱っています。 特定のエピ層構造がありましたら、詳細な層をお知らせください。 特定層にもよりますが、1枚からご提供いたします。 ※価格は数量に大きく依存します。

  • 型番

    サファイア基板InGaN

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2024年12月5日にレビュー済み

顧客対応への満足度

今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

初回対応までの時間への満足度

1.49時間


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XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板 サファイア基板InGaNの性能表

商品画像 価格 (税抜) 直径 膜層厚さ 面方位 表面仕上げ ドーパント 転位密度
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルウェハ基板-品番-サファイア基板InGaN 要見積もり φ50.8mm 100~200um C軸 (0001) ±1° 片面または両面エピレディ研磨 In >108cm⁻²

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この商品の取り扱い会社情報

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100.0%


返答時間

0.8時間


企業レビュー

5.0

会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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