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■特徴 SHGによる1,064nmを532nmに波長変換に必要な代表的な結晶体。 固体レーザーの代表であるNd:YAG結晶の光波長変換として広く普及している結晶です。 LBOは優れたレーザー耐久力、THG (第三高調波) 素子として広く利用されます。BBOと比べて温度調整が乏しい反面、損傷閾値が高いので高出力に向いております。 ■機能 ・160~2,600nmまでの広い透過範囲 ・比較的大きな有効SHG係数 (KDPの3倍) ・高い損傷閾値 (18.9GW/cm2) ・広い受光角と小さいウォークオフ ・広い波長範囲によるタイプⅠとタイプⅡの非臨界位相整合
結晶構造
結晶格子定数
熱伝導率 W/m/K
非線形係数
セルマイヤー方程式 (λ in μm)
損傷閾値
SHG位相整合範囲
551-2,600nm (TypeⅠ) 790~2,150nm (TypeⅡ)
熱光学係数 (℃,λin μm)
dnx/dT=-9.3X10⁻⁶ dny/dT=-13.6X10⁻⁶ dnz/dT= (-6.3~2.1λ) X10⁻⁶
角度受容性
6.54mrad·cm (φ,TypeI,1,064SHG) 15.27mrad·cm (Θ,TypeⅡ,1,064SHG)
温度受容性
4.7℃・cm (TypeⅠ,1,064SHG) 7.5℃・cm (TypeⅡ,1,064SHG)
スペクトル受容性
1.0nm・cm (TypeⅠ,1,064SHG) 1.3nm・cm (TypeⅡ,1,064SHG)
ウォークオフ角度
0.6° (TypeⅠ,1,064SHG) 0.12° (TypeⅡ,1,064SHG)
非線形未損失性
d₃₁=1.05±0.09pm/V d₃₂=0.98±0.09pm/V d₃₃=0.05±0.006pm/V
透過範囲
0.35~5.5um
平均屈折率
1.8
吸収損失 %/cm@1,064nm
<0.05
吸収損失 %/cm@1,533nm
<0.05
吸収損失 %/cm@3,475nm
<5
位相整合角度nm
1,075~1,134nm
波長
ポンプ光:1,064nm シグナル:1,533nm アイドラ:3,475nm
電気光学定数 (低周波)
r₃₃= 37.5 pm/V r₂₃=15.4 pm/V r₁₃=11.5pm/V
SHG 1,064/532nm
位相整合角:168.9° (YZ寄りのZ軸から起点) Deff:3.0±0.1pm/V 受容角度:2.32arad/cm ウォークオフ角:25.6mrad 受容温度:2.17℃/cm
型番
LBO非線形結晶-三ホウ酸リチウムシリーズ
波長変換時に使用 非線形結晶取扱企業
株式会社トゥーリーズMetoree経由で見積もり
2024年12月5日にレビュー済み
顧客対応への満足度
今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。
初回対応までの時間への満足度
1.49時間
商品画像 | 価格 (税抜) | 結晶構造 | 結晶格子定数 | 密度 | 融点 | 吸湿性 | 熱膨張係数 | 熱伝導率 W/m/K | モース硬度 | 波長透過範囲 | SHG位相整合範囲 | 熱光学係数 (℃,λin μm) | 吸収係数 | 角度受容性 | 温度受容性 | スペクトル受容性 | ウォークオフ角度 | 非線形係数 | 非線形未損失性 | セルマイヤー方程式 (λ in μm) | 損傷閾値 |
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要見積もり | 斜方晶 |
a=8.4473 b=7.3788 c=5.1395 |
2.47g/cm³ | 約834℃ | 有 |
αx=10.8x10⁻⁵/K, αy=-8.8x10⁻⁵/K, αz=3.4x10⁻⁵ |
3.5W/m/K | 6 |
160~2,600nm ※190nm以下は出力が弱く実質使えません。 |
551-2,600nm (TypeⅠ) 790~2,150nm (TypeⅡ) |
dnx/dT=-9.3X10⁻⁶ dny/dT=-13.6X10⁻⁶ dnz/dT= (-6.3~2.1λ) X10⁻⁶ |
<0.1%/cm@1,064nm <0.3%/cm@532nm |
6.54mrad·cm (φ,TypeI,1,064SHG) 15.27mrad·cm (Θ,TypeⅡ,1,064SHG) |
4.7℃・cm (TypeⅠ,1,064SHG) 7.5℃・cm (TypeⅡ,1,064SHG) |
1.0nm・cm (TypeⅠ,1,064SHG) 1.3nm・cm (TypeⅡ,1,064SHG) |
0.6° (TypeⅠ,1,064SHG) 0.12° (TypeⅡ,1,064SHG) |
deff (I) =d₃₂cosφ (TypeI XY平行) deff (I) =d₃₁cos²Θ+d₃₂sin²Θ (TypeI XZ平行) deff (Ⅱ) =d₃₁cos²Θ (TypeⅡ YZ平行) deff (Ⅱ) =d₃₁cos²Θ+d₃₂sin²Θ (TypeⅡ XZ平行) |
d₃₁=1.05±0.09pm/V d₃₂=0.98±0.09pm/V d₃₃=0.05±0.006pm/V |
nx²=2.454140+0.011249/ (λ²-0.011350) -0.014591λ²-6.60×10⁻⁵λ⁴ ny²=2.539070+0.012711/ (λ²-0.012523) -0.018540λ²-2.00×10⁻⁵λ⁴ nz²=2.586179+0.013099/ (λ²-0.011893) -0.017968λ²-2.26×10⁻⁵λ⁴ |
>10GW/cm²@10ns, 10Hz, 1,064nm/polishing only >1GW/cm²@10ns, 10Hz, 1,064nm/AR coated >500MW/cm²@10ns, 10Hz, 532nm/AR coated |