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MS85RC1MTY | FeRAM I2Cインターフェース品
RAMXEED株式会社

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メモリ容量 (ビット)

1M

グレード

車載用/産業用

電源電圧 (V)

1.8~3.6

動作周波数 (Hz)

3.4M

動作温度範囲 (℃)

-40~+125

書換回数

100兆回

データリテンション

70.4年 (+85℃)

パッケージ

DFN-8/SOP-8

この製品について

■高性能・高信頼性のメモリ

私たちが現在提供しているのは、FeRAM (強誘電体メモリ) とReRAM (抵抗変化型メモリ) の製品ファミリーです。どちらも不揮発性メモリですが、それぞれ異なる特長をもっているため得意とする用途も異なります。FeRAMの強みは、保証できるデータの書換回数が多いことです。最大100兆回のデータ書換えが可能なため、データの書換を頻繁に行うアプリケーションに使用することでその能力を発揮できます。 例えば、メーターや計測機器、産業ロボット、自動車など情報を記録するメモリとして採用されています。

■FeRAM製品ファミリー

FeRAM製品には、大きく分けて2つの製品ファミリーがあります。SOPなどのパッケージ品で提供している「単体メモリ」と、FeRAMを搭載したRFID用LSIや認証用LSIなどの「FeRAM搭載LSI」です。単体メモリのFeRAMは、既存のEEPROM、フラッシュメモリ、低消費電力SRAMと置き換えが可能です。

■FeRAMの概要

FeRAM製品のメモリ容量は4Kビット~8Mビットです。インターフェースは、シリアルインターフェース (SPI、I2C) とパラレルインターフェースがあります

■FeRAMの特長

強誘電体メモリのFeRAMは、「不揮発性」「高書換耐性」「高速書込み」「低消費電力」の4つの特長を備えたメモリです。

■不揮発性

・電源を切ってもデータが消えない ・バッテリーフリー (グリーン化製品)

■高書換耐性

・最大100兆回 (10^14回) の書換えを保証 ・書換回数がEEPROMの最大1億倍

■高速書込み

・データの重ね書きが可能 ・書換えコマンドの発行不要 ・消去時間、書込みの待ち時間が不要

■低消費電力

・書込みのための内部昇圧不要 ・書込み時間が短いため、書込み時の消費電力が小さい ・データ保持のリテンション電流不要

  • 型番

    MS85RC1MTY

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FeRAM I2Cインターフェース品 MS85RC1MTYの性能表

商品画像 価格 (税抜) メモリ容量 (ビット) グレード 電源電圧 (V) 動作周波数 (Hz) 動作温度範囲 (℃) 書換回数 データリテンション パッケージ
要見積もり 1M 車載用/産業用 1.8~3.6 3.4M -40~+125 100兆回 70.4年 (+85℃) DFN-8/SOP-8

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