型番説明

■概要 多段アンプ内で (たとえばドライバとして) 使用できるように、OIP3値が29dBmを超える低ノイズ広帯域アンプが含まれます。いずれも、インフィニオンによる信頼性の高い大量生産用シリコンバイポーラおよびSiGe:Cテクノロジーに基づいており、クラス最高のノイズ指数を実現しています。以下のサブカテゴリのそれぞれに、モジュール用の鉛フリーTSLP-3極小パッケージに収められた製品が存在します。 ■注意 ゲイン値Gmaxは、それぞれ900MHz (低周波数向け製品および2.5GHzまでの高ゲインに対応したSiトランジスタの場合) 、1.8GHz (2.5GHzまでの高ゲインに対応したSiトランジスタ、6GHzまでの高ゲインに対応したSiGe:Cトランジスタの場合) の周波数に適用されます。ノイズ指数NFminは入力でのノイズ適合によるテスト設備で測定されたものです。記載の値は低周波数に適用されます。OIP3およびOP1dB値は、50オームのシステムで測定されたものであり、適切な負荷インピーダンスを選択することで最適化できます。

この製品について

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• 型番

  High Linearity RF Transistors

• シリーズ

  RF及び無線制御 RFトランジスタ

• 取扱企業

  インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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企業レビュー 4.5

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• 本社所在地: 東京都