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■広帯域ゲインチップ波長: 655 ~ 1,060nm 出力: 15 ~ 80mW ・Gain Chipsは、優れたARコーティングが施された出力ファセットを持つ、改良型ファブリ・ペロー・レーザ・ダイオードです。 ・自己発振はしませんが、リットマンやリトロウ構成などの外部共振器ダイオードレーザーセットアップ (ECDL) での動作を意図しています。 ・外部からのフィードバックにより、優れたチューニング機能と組み合わせて、狭い単一周波数で動作します。 ■特長 ・ARコート付きファブリーペローレーザー ・SOT封止パッケージ ・ゲインチップは、ファブリペロレーザーダイオードを改良したもので、出力面には優れた反射防止コーティングが施されています。自己発振はしませんが、リットマンやリットローのような外部共振器型ダイオードレーザーのセットアップ (ECDL) で使用することを想定しています。 ■用途 ・分光用途 ・外部共振半導体レーザ ・モニタPD ・波長可変光源用
最大出力の波長
出力パワー (mW)
15~80
調整波長 (nm)
650~1,100
フィードバック無しのASE光 (mW)
1.5~110
ストライプの長さ (mm)
1.5~3
外部共振器の出力 (mW)
30~350
チューニング幅
40~160
チューニング幅の中心波 (nm)
780~1,330
RMS (dB)
0.05~0.2
チューニングレンジ中心波長 (nm)
1,030~1,140
チューニングレンジ (nm)
120~130
ファイバーからの出力 (mW)
130~280
型番
広帯域ゲインチップ取扱企業
セブンシックス株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 出力パワー (mW) | 調整波長 (nm) |
|---|---|---|---|
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要見積もり | 15~80 | 650~1,100 |
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波長 nm
370 - 530 530 - 630 630 - 780 780 - 900 900 - 980出力 mW
1 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000 10,000 - 100,000 100,000 - 500,000 500,000 - 1,000,000コア径 µm
0 - 100 100 - 200 200 - 400開口数 NA
0.1 - 0.2 0.2 - 0.3ファイバーコア径 µm
0 - 100 100 - 200 200 - 400ファイバークラッド径 μm
100 - 200 200 - 300ビーム開口数 NA
0.1 - 0.2 0.2 - 0.3
