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SiC MOSFET-株式会社三社電機製作所

株式会社三社電機製作所

SiC MOSFET

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■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ耐圧でもN-ドリフト層...

2種類の品番

FCA100AC120-SiC MOSFET
FCA150AC120-SiC MOSFET

IGBT-株式会社三社電機製作所

株式会社三社電機製作所

IGBT

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■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホール (正孔) をN-層に...

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GSA100AA60-IGBT
GSA75AA120-IGBT

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