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三社電機製作所のパワーモジュール

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4 点の製品

株式会社三社電機製作所

IGBT

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100.0% 返答率

17.1時間 返答時間

■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホ...

2種類の品番


株式会社三社電機製作所

SiC MOSFET

740人以上が見ています

最新の閲覧: 1時間前

返信の比較的早い企業

4.5 会社レビュー

100.0% 返答率

17.1時間 返答時間

■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ...

2種類の品番


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