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Máquinas de Pulido Químico-Mecánico (Cmp)

¿Qué son las Máquinas de Pulido Químico-Mecánico (CMP)?

Las máquinas de pulido químico-mecánico (CMP) se utilizan para pulir obleas de silicio. Los semiconductores se fabrican a escala muy pequeña, por lo que requieren un pulido uniforme de alta precisión y están formados por varias capas de diferente dureza, cada una de las cuales debe pulirse utilizando la presión, los abrasivos y los productos químicos adecuados.

Durante el pulido, las superficies e irregularidades reaccionan químicamente y se eliminan mecánicamente con papel de lija, dependiendo de la composición de las capas de cada semiconductor.

Usos de las Máquinas de Pulido Químico-Mecánico (CMP)

Las máquinas de pulido químico-mecánico (CMP) se utilizan principalmente en el proceso de fabricación de semiconductores. Estas máquinas se utilizan en los procesos de semiconductores  para aplanar las irregularidades de la superficie causadas por el grabado, la formación de películas de óxido y la difusión de iones, etc.

Las máquinas de pulido químico-mecánico (CMP) permiten un aplanado extremadamente preciso y facilitan la posterior estratificación sobre la superficie aplanada. A la hora de seleccionar el equipo de CMP, hay que tener en cuenta la precisión del aplanado, los productos químicos y químicos utilizados y la velocidad de procesamiento de las obleas de silicio.

Principio del Funcionamiento de las Máquinas de Pulido Químico-Mecánico (CMP)

En esta sección se describe el principio de funcionamiento de las máquinas de pulido químico-mecánico (CMP), que suelen ser de gran tamaño porque procesan un gran número de obleas de silicio  a la vez y a alta velocidad.

Los componentes son una platina giratoria, una sección de pulido con boquillas para aplicar productos químicos y químicos, papel   de lija, etc. Otros componentes son un robot para transportar las obleas de silicio, una sección de limpieza tras el pulido y una sección de detección superior.

El funcionamiento básico consiste en pulverizar productos químicos y agentes químicos sobre las obleas de silicio a través de boquillas y presionar papel de lija sobre las obleas, que luego se pulen haciendo girar la platina giratoria a gran velocidad.

Los objetivos del pulido químico son las películas de óxido, el cableado de tungsteno y el cableado de cobre. En el caso de las películas de óxido, la película de óxido se disuelve en una solución alcalina y se pule con óxido de silicio de la misma composición.

En el caso de los cables de wolframio, la parte superficial del wolframio se oxida y la superficie se pule con óxido de silicio. En el caso de los cables de cobre, el cobre se oxida, se le añade un complejo y se pule con óxido de silicio o similar.

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