¿Qué es EPROM?
EPROM significa “Erasable Programmable Read Only Memory” (memoria de sólo lectura programable y borrable) y es una memoria semiconductora en la que los datos pueden escribirse y borrarse un número determinado de veces.
Las EPROM borran todos los datos de la memoria exponiéndola a una fuerte radiación ultravioleta durante un cierto periodo de tiempo. Por tanto, no es posible borrar los datos, quedando sólo parte de ellos. También debe tenerse en cuenta que la exposición continua a la luz solar o fluorescente durante un largo periodo de tiempo borrará los datos.
Dado que los datos sólo se pueden reescribir unas pocas docenas de veces y que el borrado de datos lleva cierto tiempo, en los últimos años las EPROMs (Electrically Erasable PROMs) y las memorias flash, que utilizan electricidad para borrar los datos, han ido sustituyendo a las EPROM.
Usos de la EPROM
La EPROM se utilizan en equipos controlados por ordenador en los que se escriben programas y datos. Pueden borrar y escribir datos muchas veces, pero deben someterse a un dispositivo de irradiación ultravioleta para borrar los datos.
Cuando se incorporan a equipos electrónicos, las EEPROMs deben retirarse del equipo electrónico y someterse a irradiación ultravioleta cada vez que se reescriben los datos. Por esta razón, las EEPROMs que pueden reescribirse eléctricamente se están convirtiendo en la corriente dominante.
Estructura de las EPROM
En una EPROM, un bit de datos se almacena en un transistor. El transistor que contiene los datos se denomina transistor de célula de memoria.
El transistor de la célula de memoria de una EPROM tiene una puerta flotante eléctricamente aislada incrustada en la película de óxido de la puerta.
Encima de la puerta flotante hay un electrodo, llamado puerta de control, que se utiliza para leer y escribir datos.
Principio de la EPROM
El principio de la EPROM se explica desde tres perspectivas.
1. El Principio de Escritura
Al aplicar una tensión elevada a la puerta de control del transistor de la célula de memoria, los electrones que fluyen entre la fuente y el drenaje en el canal del transistor de la célula de memoria adquieren una energía elevada.
Algunos de los electrones energizados saltan por encima de la película de óxido de la puerta y se inyectan en la puerta flotante, haciendo que ésta se cargue negativamente. Cuando la puerta flotante se carga negativamente, se han grabado los datos.
2. Principio de Lectura
La tensión aplicada a la puerta de control para que el transistor funcione se denomina tensión umbral. Un transistor de célula de memoria en el que se han escrito datos y la puerta flotante está cargada negativamente requiere que se aplique a la puerta de control una tensión umbral mayor que la de un transistor de célula de memoria en el que no se han escrito datos para funcionar.
La tensión entre la tensión umbral del transistor de la célula de memoria en el que no se han escrito datos y la tensión umbral del transistor de la célula de memoria en el que se han escrito datos se denomina tensión de lectura. La presencia o ausencia de datos puede determinarse por el encendido o apagado del transistor de la célula de memoria cuando se aplica la tensión de lectura.
3. Principio de Borrado
La irradiación con luz ultravioleta hace que los electrones de la puerta flotante pasen a un estado de alta energía. Los electrones energizados saltan sobre la película de óxido de la puerta y se liberan en el sustrato y en la puerta de control. La puerta flotante que ha liberado los electrones se vuelve eléctricamente neutra y la tensión umbral del transistor de la célula de memoria vuelve a su valor inicial.
Este es el principio en el que se basa el borrado de datos del transistor de la célula de memoria: la razón por la que las EPROM borran todos los datos a la vez es que resulta difícil concentrar la radiación UV en un transistor de célula de memoria específico.
Más Información sobre las EPROMs
Capacidad de Memoria EPROM y Número de Modelo
Las capacidades de memoria de las EPROM van de 2 kilobits (256 bytes) a 32 megabits (4 megabytes) y se pueden encontrar en los números de modelo Los números de modelo de las EPROMs empiezan por 27, como 2732 y 2764. El número después del 27 en el número de modelo es la capacidad de memoria.
Por ejemplo, 2732 indica una capacidad de 32 kilobits, mientras que 2764 indica una capacidad de 64 kilobits. Además, los que tienen una C después de 27 en el número de modelo, como 27C32 y 27C64, indican que el transistor de la célula de memoria tiene una estructura CMOS.