Was ist ein Veraschungsgerät?
Ein Veraschungsgerät ist ein Gerät zur Entfernung von Resist und anderen Materialien, die bei der Halbleiterherstellung verwendet werden. Veraschung bedeutet, zu Asche zu werden, und wie das Wort wörtlich besagt, wird der Resist zu Asche reduziert und mit Hilfe von Plasma, Ozon usw. entfernt.
Bei der Halbleiterherstellung ist der Resist ein Schutzfilm, der auf die Oberfläche eines Siliziumwafers aufgetragen wird und dann nur bestimmte Bereiche sensibilisiert, um Mikrostrukturen zu erzeugen. Wenn der Resist seinen Zweck erfüllt hat, wird er entfernt.
Veraschungsgeräte werden zur Bearbeitung von Siliziumwafern in der Halbleiterfertigung eingesetzt und sind daher groß genug, um Siliziumwafer zu transportieren.
Anwendungen von Veraschungsgeräten
Veraschungsgeräte werden zur Entfernung von Ionenimplantaten bei der Halbleiterherstellung, zur Entfernung von Polymeren wie Resist und zur Entfernung von Farbfiltern bei der Herstellung von CCDs eingesetzt.
Es gibt zwei Arten von Veraschungsgeräten: die Plasmaveraschung, bei der Plasma verwendet wird, und die Ozonveraschung, bei der Ozon mit Kohlenwasserstoffen reagiert. Die wichtigste Methode ist die Plasmaveraschung, bei der Sauerstoff mit dem Plasma zur Reaktion gebracht wird, um dessen Reaktivität zu erhöhen und damit die Veraschungswirkung zu steigern.
Funktionsweise des Veraschungsgeräts
Plasma ist ein ionisiertes Gas und hochreaktiv. Wenn Sauerstoff plasmatisiert wird, reagiert er sehr gut mit Kohlenstoff und Wasserstoff, so dass Kohlenwasserstoff-Polymere, z. B. Kunststoffe, in einem Sauerstoffplasma blitzschnell verschwinden.
Reine Kohlenwasserstoffe bestehen nur aus Kohlenstoff und Wasserstoff, so dass nach der Reaktion mit Sauerstoff Wasser und Kohlendioxid freigesetzt werden und nichts zurückbleibt. Resists für die Halbleiterherstellung bestehen aus Kohlenwasserstoffpolymeren, die Additive, Lösungsmittel und Photosensibilisatoren enthalten, so dass bei der Veraschung optimale Plasmabedingungen für den Resist erforderlich sind.
Bei der Ozonveraschung werden die Sauerstoffmoleküle nicht durch Umwandlung in ein Plasma aktiviert, sondern es wird aus ihnen hochreaktives Ozon erzeugt, das in die Reaktionskammer eingeleitet wird. Bei diesem Verfahren wird ultraviolettes Licht eingestrahlt, das aus Ozon eine noch reaktivere Form von atomarem Sauerstoff, die so genannten Sauerstoffradikale, erzeugt, die mit dem Resist reagieren.
Der Unterschied zwischen Sauerstoffplasma und Sauerstoffradikalen besteht darin, dass im Sauerstoffplasma ein bestimmter Prozentsatz der Sauerstoffatome Kationen sind, während Sauerstoffradikale elektrisch neutral sind, so dass Sauerstoffplasma reaktiver ist.