ソフトエッチング装置【nanoETCH】＜30W低出力制御によるダメージレスエッチング (テルモセラ・ジャパン株式会社) のカタログ情報
ソフトエッチング装置【nanoETCH】＜30W低出力制御によるダメージレスエッチング
製品個別カタログ
カタログ紹介
【nanoETCH（ナノエッチ）】Model. ETCH5A
＜30W、制御精度10mA 安定性の高い低出力RFエッチングコントロールにより、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。
マンチェスター大学 A.ガイム博士（2010年グラフェン実験でノーベル賞受賞）率いるグラフェン研究グループとの共同開発製品。
【特徴】
• 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング
• PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去
• テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング
• h-BNサイドウオールエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要）
• SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要）
【仕様】
◉ 対応基板：〜Φ6inch
◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス
◉ APC自動圧力コントロール
◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設
◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存・保存。PCでデータロギング
＜30W、制御精度10mA 安定性の高い低出力RFエッチングコントロールにより、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。
マンチェスター大学 A.ガイム博士（2010年グラフェン実験でノーベル賞受賞）率いるグラフェン研究グループとの共同開発製品。
【特徴】
• 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング
• PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去
• テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング
• h-BNサイドウオールエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要）
• SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要）
【仕様】
◉ 対応基板：〜Φ6inch
◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス
◉ APC自動圧力コントロール
◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設
◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存・保存。PCでデータロギング
カタログについて
- カタログ名
- ソフトエッチング装置【nanoETCH】＜30W低出力制御によるダメージレスエッチング
- 取り扱い企業
- テルモセラ・ジャパン株式会社
- 該当カテゴリ
- プラズマ処理装置 プラズマエッチング装置 ドライエッチング加工
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
