アニール炉『ANNEAL ウエハーアニール装置』 (テルモセラ・ジャパン株式会社) のカタログ情報
アニール炉『ANNEAL ウエハーアニール装置』
製品個別カタログ
カタログ紹介
アニール炉『ANNEAL ウエハーアニール装置』
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。
チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。
マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。
・ハロゲンランプヒーター：Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）
・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
◉ 基板サイズ：Φ2inch〜4inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション）
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社）
◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能）
◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。
チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。
マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。
・ハロゲンランプヒーター：Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）
・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
◉ 基板サイズ：Φ2inch〜4inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション）
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社）
◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能）
◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属
カタログについて
- カタログ名
- アニール炉『ANNEAL ウエハーアニール装置』
- 取り扱い企業
- テルモセラ・ジャパン株式会社
- 該当カテゴリ
- 半導体製造装置 電気炉 アニール炉
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
