CoolSiC™ MOSFET 650 V ジェネレーション 2 (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
CoolSiC™ MOSFET 650 V ジェネレーション 2
製品個別カタログ
カタログ紹介
★Thin-TOLL 8x8 パッケージ、26 mΩ および 33 mΩ
CoolSiC™ MOSFET 650 V ジェネレーション 2、Thin-TOLL 8x8 パッケージのラインナップを 26 mΩ および 33 mΩ に拡張し、RDS(on)の範囲も 20 mΩ から 60 mΩ までとなり、きめ細かなラインナップが揃いました。
Thin-TOLL パッケージは、CoolSiC™ G2などの高性能技術を活かすのに最適な8x8サイズでの選択肢です。標準的な8x8パッケージのサーマルサイクルにおける性能限界を克服し、.XT相互接合技術により熱抵抗を低減しています。その結果として、SiCの特性を最大限に活かしながら、小さなフットプリントを維持し、電力密度を次の次元へと引き上げることが可能です。
■主な特長
● 優れた性能指数 (FOM)
● 同クラスで最も低いRDS(on)
● 高い堅牢性と総合的な品質
● 広い駆動電圧範囲
●ユニポーラ駆動に対応 VGS(off) = 0
● すべての8x8 FET製品とピン互換
● .XT相互接合技術によるパッケージの改善
● 熱サイクル (TCoB) ４倍向上
■主な利点
● 部品点数の削減
● システムのコストパフォーマンスを最大化
● 極めて高い信頼性、長い製品寿命
● 高い効率と電力密度を実現
● 小型フットプリントで高い電力密度を実現
● 極めてコンパクトなドーターカード設計
CoolSiC™ MOSFET 650 V ジェネレーション 2、Thin-TOLL 8x8 パッケージのラインナップを 26 mΩ および 33 mΩ に拡張し、RDS(on)の範囲も 20 mΩ から 60 mΩ までとなり、きめ細かなラインナップが揃いました。
Thin-TOLL パッケージは、CoolSiC™ G2などの高性能技術を活かすのに最適な8x8サイズでの選択肢です。標準的な8x8パッケージのサーマルサイクルにおける性能限界を克服し、.XT相互接合技術により熱抵抗を低減しています。その結果として、SiCの特性を最大限に活かしながら、小さなフットプリントを維持し、電力密度を次の次元へと引き上げることが可能です。
■主な特長
● 優れた性能指数 (FOM)
● 同クラスで最も低いRDS(on)
● 高い堅牢性と総合的な品質
● 広い駆動電圧範囲
●ユニポーラ駆動に対応 VGS(off) = 0
● すべての8x8 FET製品とピン互換
● .XT相互接合技術によるパッケージの改善
● 熱サイクル (TCoB) ４倍向上
■主な利点
● 部品点数の削減
● システムのコストパフォーマンスを最大化
● 極めて高い信頼性、長い製品寿命
● 高い効率と電力密度を実現
● 小型フットプリントで高い電力密度を実現
● 極めてコンパクトなドーターカード設計
カタログについて
- カタログ名
- CoolSiC™ MOSFET 650 V ジェネレーション 2
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ASIC バッテリーマネージメント パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
