IPM018N10NM5LF2: OptiMOS™ 5、シングルNチャンネル リニアFET2 100 V/176 A, 1.8 mΩ、8 × 8 mmパッケージ (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
IPM018N10NM5LF2: OptiMOS™ 5、シングルNチャンネル リニアFET2 100 V/176 A, 1.8 mΩ、8 × 8 mmパッケージ
製品個別カタログ
カタログ紹介
IPM018N10NM5LF2は、mTOLGパッケージ (8x8㎜) に搭載された最高レベルのOptiMOS™ 5 Linear FET 2 100 Vで、業界最小レベルのRDS(on) と広い安全動作領域 (SOA) を実現しています。JEDEC 認定のパッケージで、他の 8x8 mm2 ガルウィングパッケージ MOSFET (LFPAK88 タイプ) と互換性があります。
OptiMOS™ 5 Linear FET 2 テクノロジーと mTOLG パッケージを組み合わせ、ホットスワップ、e-ヒューズ、バッテリーマネジメントシステム (BMS) のバッテリー保護などの突入電流保護アプリケーションに最高の電力密度を提供するよう設計されています。
■主な特長
● 8 x 8 mm のパッケージサイズ
● 広い安全動作領域 (SOA)
● 超低オン抵抗
● 低リーク電流
● 最適化された転送特性
■主な利点
● 8 x 8 mm2 で最高の電力密度
● 低導通損失
● 堅牢なリニアモード動作
● 電流分配の改善
● ゲートドライバーとの互換性の向上
OptiMOS™ 5 Linear FET 2 テクノロジーと mTOLG パッケージを組み合わせ、ホットスワップ、e-ヒューズ、バッテリーマネジメントシステム (BMS) のバッテリー保護などの突入電流保護アプリケーションに最高の電力密度を提供するよう設計されています。
■主な特長
● 8 x 8 mm のパッケージサイズ
● 広い安全動作領域 (SOA)
● 超低オン抵抗
● 低リーク電流
● 最適化された転送特性
■主な利点
● 8 x 8 mm2 で最高の電力密度
● 低導通損失
● 堅牢なリニアモード動作
● 電流分配の改善
● ゲートドライバーとの互換性の向上
カタログについて
- カタログ名
- IPM018N10NM5LF2: OptiMOS™ 5、シングルNチャンネル リニアFET2 100 V/176 A, 1.8 mΩ、8 × 8 mmパッケージ
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ASIC バッテリーマネージメント パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
