EasyPACK™ 1B モジュール（ハーフブリッジ/ブースタートポロジ） (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
EasyPACK™ 1B モジュール（ハーフブリッジ/ブースタートポロジ）
製品個別カタログ
カタログ紹介
★太陽光発電アプリケーション向けEasyモジュールのラインナップ拡大
EasyPACK™ 1B モジュール（ハーフブリッジ/ブースタートポロジ）は、CoolSiC™ MOSFET を採用した第1世代の強化型モジュールです。Pressfit ピンコンタクト技術と内蔵NTCを採用した本モジュールは、オールインワンソリューションを提供し、太陽光発電インバーターシステムの設計に最適なソリューションです。
■主な特長
● パッケージ高12mmのEasyファミリー製品
● 強化型第1世代トレンチ技術を搭載したCoolSiC™ MOSFET 1.2 kV
● きわめて低いモジュール浮遊インダクタンス
● ゲートソース電圧 +23 V, -10 V
● きわめて低い浮遊インダクタンス
● 最大175℃の過負荷耐性
● PressFITピン
■主な利点
● 設計が容易
● 低RDSによる最高レベルの電力密度
● 卓越したモジュール効率によりシステムコストを削減
● 宇宙線による故障率の低減
EasyPACK™ 1B モジュール（ハーフブリッジ/ブースタートポロジ）は、CoolSiC™ MOSFET を採用した第1世代の強化型モジュールです。Pressfit ピンコンタクト技術と内蔵NTCを採用した本モジュールは、オールインワンソリューションを提供し、太陽光発電インバーターシステムの設計に最適なソリューションです。
■主な特長
● パッケージ高12mmのEasyファミリー製品
● 強化型第1世代トレンチ技術を搭載したCoolSiC™ MOSFET 1.2 kV
● きわめて低いモジュール浮遊インダクタンス
● ゲートソース電圧 +23 V, -10 V
● きわめて低い浮遊インダクタンス
● 最大175℃の過負荷耐性
● PressFITピン
■主な利点
● 設計が容易
● 低RDSによる最高レベルの電力密度
● 卓越したモジュール効率によりシステムコストを削減
● 宇宙線による故障率の低減
カタログについて
- カタログ名
- EasyPACK™ 1B モジュール（ハーフブリッジ/ブースタートポロジ）
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ASIC バッテリーマネージメント パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
