OptiMOS™ 6 200 V MOSFET (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
OptiMOS™ 6 200 V MOSFET
製品個別カタログ
カタログ紹介
インフィニオンの新しいOptiMOS™ 6 200 V技術は、ハード スイッチングおよびソフト スイッチングのスタティック スイッチング アプリケーションから高周波アプリケーションまで、幅広いアプリケーションの要求に対応できるよう設計されています。
OptiMOS™ 6 200 V技術は先進的なセル構造を採用し、00 V では業界最小のRDS(on)と Qrrを実現しています。これにより、本製品の効率と電力密度は、前世代品に比べて圧倒的に優れたものになっています。
■主な特長
● 200 Vで最も低いレベルのRDS(on)
● 200 Vで最も低いレベルのQrr
● 従来の200 V技術に比べてRDS(on) を最大42%削減、Qrr(typ) を最大89%削減、 FOMgを36%削減
● ダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
● 高いキャパシタンス直線性
● 安全動作領域 (SOA) が向上
● Vgs(th) のばらつきが小さく±750 mV
● 高いアバランシェ耐量
●Tj は175℃、モイスチャーレベルMSL1
■主な利点
●低い導通損失およびスイッチング損失
● 優れたEMI性能による安定動作
● 並列運転時の優れた電流分配
●優れた堅牢性
●システムの信頼性向上
OptiMOS™ 6 200 V技術は先進的なセル構造を採用し、00 V では業界最小のRDS(on)と Qrrを実現しています。これにより、本製品の効率と電力密度は、前世代品に比べて圧倒的に優れたものになっています。
■主な特長
● 200 Vで最も低いレベルのRDS(on)
● 200 Vで最も低いレベルのQrr
● 従来の200 V技術に比べてRDS(on) を最大42%削減、Qrr(typ) を最大89%削減、 FOMgを36%削減
● ダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
● 高いキャパシタンス直線性
● 安全動作領域 (SOA) が向上
● Vgs(th) のばらつきが小さく±750 mV
● 高いアバランシェ耐量
●Tj は175℃、モイスチャーレベルMSL1
■主な利点
●低い導通損失およびスイッチング損失
● 優れたEMI性能による安定動作
● 並列運転時の優れた電流分配
●優れた堅牢性
●システムの信頼性向上
カタログについて
- カタログ名
- OptiMOS™ 6 200 V MOSFET
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ASIC バッテリーマネージメント パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
