ハイサイド ゲートドライバー 1ED21x7 ファミリー (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
ハイサイド ゲートドライバー 1ED21x7 ファミリー
製品個別カタログ
カタログ紹介
インフィニオンの次世代EiceDRIVER™、650 V/±4 A、1ED21x7x ゲートドライバーICは、業界標準の接合分離型レベルシフト ハイサイド ゲートドライバーに比べ、さらに堅牢でコスト効率の高いソリューションを実現しています。 1ED21x7x ICは、Si/SiCパワーMOSFETおよび
IGBTスイッチ用の高電圧、高電流、高速ゲートドライバーです。1ED21x7xはハイサイド構成またはローサイド構成で使用できます。1ED21x7xは、インフィニオンのシリコン オン インシュレータ (SOI) 技術により、最大-100Vの負の過渡電圧耐性で動作論理を維持することがで
き、優れた堅牢性とノイズ耐性を特長としています。また、インフィニオンの技術を使い省スペースとコスト削減を実現した、超低抵抗のブートストラップ ダイオードも搭載しています。
1ED21x7xファミリーは、小型電気自動車など、複数のスイッチを並列配置で使用する大電流ゲート ドライバーが必要なアプリケーションに最適です。1ED21x7xベースのソリューションは、1つの3相システムで複数のNPN/PNPトランジスタや外付けのブートストラップダイオードを省略できます。トーテムポールPFCを必要とする他のアプリケーションでは、インダクタの過電流保護は設計が難しい場合がありますが，1ED21x7xは、シンプルで設計が容易なインダクタ過電流保護を実現します
■主な特長
● インフィニオンの薄膜SOI技術
● 最大遮断電圧 +650 V
● 出力ソース/シンク電流容量 +4 A / -4 A
● 最大電源電圧 25 V
● 超高速、低RDS(ON) ブートストラップ ダイオード内蔵
●負のVS過渡電圧耐量 100 V
● 過電流、低電圧の検出
● フォルトクリア時間のプログラムが可能な多機能RCIN/フォルト/イネーブル (RFE)
● 伝搬遅延100ns 未満
● DSO-8パッケージ
● RoHS対応
■主な利点
●ラッチアップフリー
● 負のVS過渡電圧耐量 100 V
● 高い電圧スパイク耐性
● 高い出力電力レベル
● 複数の機能を1パッケージ化
●電圧および電流モニタリング
IGBTスイッチ用の高電圧、高電流、高速ゲートドライバーです。1ED21x7xはハイサイド構成またはローサイド構成で使用できます。1ED21x7xは、インフィニオンのシリコン オン インシュレータ (SOI) 技術により、最大-100Vの負の過渡電圧耐性で動作論理を維持することがで
き、優れた堅牢性とノイズ耐性を特長としています。また、インフィニオンの技術を使い省スペースとコスト削減を実現した、超低抵抗のブートストラップ ダイオードも搭載しています。
1ED21x7xファミリーは、小型電気自動車など、複数のスイッチを並列配置で使用する大電流ゲート ドライバーが必要なアプリケーションに最適です。1ED21x7xベースのソリューションは、1つの3相システムで複数のNPN/PNPトランジスタや外付けのブートストラップダイオードを省略できます。トーテムポールPFCを必要とする他のアプリケーションでは、インダクタの過電流保護は設計が難しい場合がありますが，1ED21x7xは、シンプルで設計が容易なインダクタ過電流保護を実現します
■主な特長
● インフィニオンの薄膜SOI技術
● 最大遮断電圧 +650 V
● 出力ソース/シンク電流容量 +4 A / -4 A
● 最大電源電圧 25 V
● 超高速、低RDS(ON) ブートストラップ ダイオード内蔵
●負のVS過渡電圧耐量 100 V
● 過電流、低電圧の検出
● フォルトクリア時間のプログラムが可能な多機能RCIN/フォルト/イネーブル (RFE)
● 伝搬遅延100ns 未満
● DSO-8パッケージ
● RoHS対応
■主な利点
●ラッチアップフリー
● 負のVS過渡電圧耐量 100 V
● 高い電圧スパイク耐性
● 高い出力電力レベル
● 複数の機能を1パッケージ化
●電圧および電流モニタリング
カタログについて
- カタログ名
- ハイサイド ゲートドライバー 1ED21x7 ファミリー
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ゲートドライバ バッテリーマネージメント マイクロコントローラー
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
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