OptiMOS™ 6 パワー MOSFET 200 V (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
OptiMOS™ 6 パワー MOSFET 200 V
製品個別カタログ
カタログ紹介
インフィニオンの新しいOptiMOS™ 6 200 V技術は、ハード スイッチングおよびソフト スイッチングのスタティック スイッチング アプリケーションから高周波アプリケーションまで、幅広いアプリケーションの要求に対応できるよう設計されています。
OptiMOS™ 6 200 V テクノロジーは、高度なセル構造を採用し、200 V で業界最小レベルの RDS(on) および Qrr を実現しています。これにより、前世代製品と比較して、比類のない効率と電力密度を実現しています。
■主な特長
●業界で最も低いレベルのRDS(on) 200 V MOSFET
● 業界で最も低いレベルのQrr 200 V MOSFET
● RDS(on)を最大42%低減
● Qrr(typ)を最大89%低減
● FOMgを36%低減
● OptiMOS™ 5に比べてダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
● 高いキャパシタンス直線性
● SOAが向上
● Vgs(th)のばらつきが小さく±750 mV
● 高いアバランシェ耐量
● 最大Tjは175℃、モイスチャーレベルMSL1
■主な利点
● 低導通損失、低スイッチング損失
● 優れたEMI性能による安定動作
● 並列動作時の優れた電流分配
● 堅牢性の向上
●システムの信頼性向上
OptiMOS™ 6 200 V テクノロジーは、高度なセル構造を採用し、200 V で業界最小レベルの RDS(on) および Qrr を実現しています。これにより、前世代製品と比較して、比類のない効率と電力密度を実現しています。
■主な特長
●業界で最も低いレベルのRDS(on) 200 V MOSFET
● 業界で最も低いレベルのQrr 200 V MOSFET
● RDS(on)を最大42%低減
● Qrr(typ)を最大89%低減
● FOMgを36%低減
● OptiMOS™ 5に比べてダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
● 高いキャパシタンス直線性
● SOAが向上
● Vgs(th)のばらつきが小さく±750 mV
● 高いアバランシェ耐量
● 最大Tjは175℃、モイスチャーレベルMSL1
■主な利点
● 低導通損失、低スイッチング損失
● 優れたEMI性能による安定動作
● 並列動作時の優れた電流分配
● 堅牢性の向上
●システムの信頼性向上
カタログについて
- カタログ名
- OptiMOS™ 6 パワー MOSFET 200 V
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ASIC バッテリーマネージメント パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
