FF3MR20W3M1H_H11、F3L3MR12W3M1H_H11、F3L340R12W3H7_H11 (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
FF3MR20W3M1H_H11、F3L3MR12W3M1H_H11、F3L340R12W3H7_H11
製品個別カタログ
カタログ紹介
★小電力ESSのラインナップ拡大
３モジュールとも大電流PressFit ピン コンタクト技術とNTCを搭載しています。すべてDC1500 V、200 kWの電力変換システム向けの設計になっています。
EasyPACK™ 3Bで、最新の1200 V TRENCHSTOP™ IGBT H7、EC7、Rapid Diode技術を採用した3レベルNPC 1トポロジです。EasyPACK™ 3Bで、L7、EC7技術を採用した1200 V CoolSiC™ MOSFET 1200 VのANPCトポロジです。
EasyPACK™ 3Bで、2000 V CoolSiC™ MOSFETを採用したハーフブリッジトポロジです。
■主な特長
● 12 mm高のEasyファミリ
● きわめて低い浮遊インダクタンス
● 最大175℃の過負荷耐性
● 大電流ピン
■主な利点
● 設計が容易
● 高い電力密度
● 高いコストパフォーマンス
３モジュールとも大電流PressFit ピン コンタクト技術とNTCを搭載しています。すべてDC1500 V、200 kWの電力変換システム向けの設計になっています。
EasyPACK™ 3Bで、最新の1200 V TRENCHSTOP™ IGBT H7、EC7、Rapid Diode技術を採用した3レベルNPC 1トポロジです。EasyPACK™ 3Bで、L7、EC7技術を採用した1200 V CoolSiC™ MOSFET 1200 VのANPCトポロジです。
EasyPACK™ 3Bで、2000 V CoolSiC™ MOSFETを採用したハーフブリッジトポロジです。
■主な特長
● 12 mm高のEasyファミリ
● きわめて低い浮遊インダクタンス
● 最大175℃の過負荷耐性
● 大電流ピン
■主な利点
● 設計が容易
● 高い電力密度
● 高いコストパフォーマンス
カタログについて
- カタログ名
- FF3MR20W3M1H_H11、F3L3MR12W3M1H_H11、F3L340R12W3H7_H11
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ASIC バッテリーマネージメント パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
