ハイサイド絶縁ゲート ドライバー2EDF5215F/G (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
ハイサイド絶縁ゲート ドライバー2EDF5215F/G
製品個別カタログ
カタログ紹介
★正確で安定したタイミングと大電流出力を備えた高速、堅牢、デュアルチャネルのゲートドライバです
小さな部品間スキューや高速信号伝搬と共に、ローサイドおよびハイサイドの両MOSFETを駆動するよう設計された強力な出力段により、これらのデバイスは高速スイッチング電源システムに最適となっています。出力は最大4nsの伝搬遅延で整合され、ハーフブリッジの低デッドタイムを使用できます。
ハーフブリッジではデッドタイムが少なく、対角駆動では完全な同期が可能です。
■主な特長
● 250 Vハイサイド/ローサイド ゲートドライバー
● -250 Vの負の過渡電圧耐量
● 100 V/ns dV/dt耐性
● 5 A / 9 Aソース/シンク機能
● +9 ns / -5 nsの高い伝播遅延精度
● 最大遅延マッチング 4 ns
● UVLO時の出力クランプ電圧閾値 1.2 V
● 2 μs未満の高速起動時間
■主な利点
● ハイサイド チャネル絶縁
● 柔軟性: 独立したチャネル
● グランドノイズ耐性
● 優れた信号同期
● 高スイッチング周波数に対する信頼性
● システム起動時の安全動作
● ブートストラップ電源での最適動作
小さな部品間スキューや高速信号伝搬と共に、ローサイドおよびハイサイドの両MOSFETを駆動するよう設計された強力な出力段により、これらのデバイスは高速スイッチング電源システムに最適となっています。出力は最大4nsの伝搬遅延で整合され、ハーフブリッジの低デッドタイムを使用できます。
ハーフブリッジではデッドタイムが少なく、対角駆動では完全な同期が可能です。
■主な特長
● 250 Vハイサイド/ローサイド ゲートドライバー
● -250 Vの負の過渡電圧耐量
● 100 V/ns dV/dt耐性
● 5 A / 9 Aソース/シンク機能
● +9 ns / -5 nsの高い伝播遅延精度
● 最大遅延マッチング 4 ns
● UVLO時の出力クランプ電圧閾値 1.2 V
● 2 μs未満の高速起動時間
■主な利点
● ハイサイド チャネル絶縁
● 柔軟性: 独立したチャネル
● グランドノイズ耐性
● 優れた信号同期
● 高スイッチング周波数に対する信頼性
● システム起動時の安全動作
● ブートストラップ電源での最適動作
カタログについて
- カタログ名
- ハイサイド絶縁ゲート ドライバー2EDF5215F/G
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ゲートドライバ バッテリーマネージメント マイクロコントローラー
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社のカタログ
関連するカテゴリのカタログ
ゲートドライバ
1200 V IGBT/SiCモジュールおよびディスクリート用三相ゲートドラ イバー: ブートストラップダイオード内蔵、DSO-24パッケージ、過電 流保護、より細かなUVLO保護機能を搭載
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
ゲートドライバ
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社の会社公式ページはこちら