分析事例|PCOR-SIMSによる極低エネルギーBoronイオン注入試料の熱処理後 の特性評価 (ユーロフィンイーエージー株式会社) のカタログ情報

分析事例|PCOR-SIMSによる極低エネルギーBoronイオン注入試料の熱処理後 の特性評価

ノウハウカタログ

カタログ紹介

半導体デザインルールの微細化が進む現代において、極低エネルギー(ULE)ホウ素イオン注入の正確な評価は不可欠です 。EAGは、この課題に応えるべく、独自の革新的なSIMS分析技術「PCOR-SIMSSM」を開発しました 。

従来のSIMS分析では困難であった、ウェーハ表面数ナノメートル以内のホウ素プロファイルや表層酸化層の歪みを排除し 、PCOR-SIMSはポイントごとのデータ最適化により、

最も正確なULEホウ素プロファイルの測定を実現します 。これにより、真の接合深さを高精度に把握できるだけでなく 、アニール後のホウ素の再分布も、従来の非現実的なプロファイルとは異なり、物理モデルと一致した形で検出可能です 。

カタログについて

カタログ名
分析事例|PCOR-SIMSによる極低エネルギーBoronイオン注入試料の熱処理後 の特性評価
取り扱い企業
ユーロフィンイーエージー株式会社
会社区分
メーカー
該当カテゴリ
半導体製造装置 元素分析装置 半導体パッケージ 質量分析計 表面分析 半導体スパッタリング
カタログタイプ
ノウハウカタログ

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