CIPOS™ Maxi 1200 V CoolSiC™ MOSFET IPM IM12SxxEA2シリーズ (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
CIPOS™ Maxi 1200 V CoolSiC™ MOSFET IPM IM12SxxEA2シリーズ
製品個別カタログ
カタログ紹介
高性能CIPOS™ MaxiトランスファーモールドSiC IPM IM12SxxEA2シリーズは、1200 V CoolSiC™ MOSFET技術を採用しています。60 mΩから90 mΩまでのバリエーションのあるラインナップの新製品として、IM12S60EA2
およびIM12S90EA2の2機種を提供します。
本シリーズは、6個のCoolSiC™ MOSFETと最適化された1200V 6チャンネルSOIゲートドライバーを集積し、高い信頼性、優れた保護機能を提供し、PCBサイズとシステムコストを最適化します。
■主な特長
● DCB基板を使用した樹脂封止型デュアルインライン (DIL) モールデッド モジュール
● 1200 V CoolSiC™ MOSFET
● 堅牢な1200 V SOIゲートドライバー技術
● ブートストラップ機能搭載
● 過電流シャットダウン
● 全チャネルに低電圧ロックアウト機能
● 保護時に全6スイッチをオフ
● 上下同時導通防止
● VBS=15 Vで信号伝送する場合、負のVS過渡電圧耐量 -11 V
● ローサイドエミッタ端子から電流モニター可能
■主な利点
● 1200VのIPMクラスでは最小のパッケージに高電力密度と最高性能
● 優れた保護性能を実現する、堅牢性が強化されたゲートドライバー技術
● 高効率
● 最大40 kHzの高速スイッチング
● 高速スイッチング アプリケーションへの適用で、電力損失を低減
● 設計および製造の簡素化
およびIM12S90EA2の2機種を提供します。
本シリーズは、6個のCoolSiC™ MOSFETと最適化された1200V 6チャンネルSOIゲートドライバーを集積し、高い信頼性、優れた保護機能を提供し、PCBサイズとシステムコストを最適化します。
■主な特長
● DCB基板を使用した樹脂封止型デュアルインライン (DIL) モールデッド モジュール
● 1200 V CoolSiC™ MOSFET
● 堅牢な1200 V SOIゲートドライバー技術
● ブートストラップ機能搭載
● 過電流シャットダウン
● 全チャネルに低電圧ロックアウト機能
● 保護時に全6スイッチをオフ
● 上下同時導通防止
● VBS=15 Vで信号伝送する場合、負のVS過渡電圧耐量 -11 V
● ローサイドエミッタ端子から電流モニター可能
■主な利点
● 1200VのIPMクラスでは最小のパッケージに高電力密度と最高性能
● 優れた保護性能を実現する、堅牢性が強化されたゲートドライバー技術
● 高効率
● 最大40 kHzの高速スイッチング
● 高速スイッチング アプリケーションへの適用で、電力損失を低減
● 設計および製造の簡素化
カタログについて
- カタログ名
- CIPOS™ Maxi 1200 V CoolSiC™ MOSFET IPM IM12SxxEA2シリーズ
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- ゲートドライバ
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
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