650 V高速ハーフブリッジ ゲートドライバー3ED2388S06F (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報

EVAL-IHW25N140R5L: 新製品の逆導通R5L IGBTによる誘導加熱用評価ボード

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

REF_XDPS2221_140W1 – 超高電力密度のUSB-C充電器/アダプター用140Wボード

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

SEMPER™ Nano NOR フラッシュ S25FS256TDPBI113

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 200 V

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スケーラブルパワーブロックパッケージに搭載されたOptiMOS™ パワーMOSFET

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OptiMOS™ パワーMOSFET 25 V～150 V PQFN 5 x 6 m² ソース-ダウン センターゲートおよび コーナーゲート構造

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ディスクリート 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

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【記事】パワーサイクル対パワーサイクル

Littelfuseジャパン合同会社

スタッドタイプのハウジングパワー半導体ダイオードとサイリスタ

Littelfuseジャパン合同会社

車載向けアプリケーションカタログ

ローム株式会社

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

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750 V EDT2 ディスクリート IGBT

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メモリ NORフラッシュ

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デジタルアイソレーター

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メモリ F-RAM (強誘電体メモリ)

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産業用絶縁型インターフェイス

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Power MOSFET (Si/SiC)

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セキュリティ&スマートカードソリューションズ スマートカードモジュール

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パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

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磁気センサー

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パワー 窒化ガリウム (GaN)

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車載および産業用電流センサー

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パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

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センサ MEMSマイクロフォン

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パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

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IGBT

株式会社三社電機製作所

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