高性能セラミックを使用したEasy Bシリーズ CoolSiC™ M1H 2 kV (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
高性能セラミックを使用したEasy Bシリーズ CoolSiC™ M1H 2 kV
製品個別カタログ
カタログ紹介
CoolSiC™ MOSFET M1Hを搭載したEasyDUAL™ および EasyPACK™ 2B 2 kV、6 mΩ ハーフブリッジおよび 3 レベル モジュールは NTC 温度センサーを搭載し、
PressFIT コンタクト技術、窒化アルミニウム セラミックを採用しています。
当社のCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースターなどさまざまな構成で提供しており、1200 V および2000 V のSiC MOSFETモジュールは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失および導通損失により、ゲート酸化膜の優れた信頼性を実現しています。
すべてのEasyPACK™、EasyDUAL™、62mmパッケージのCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールにおいて、熱インターフェース材料 (TIM) の事前塗布や、その他追加機能をオプションとして提供しています。 例えば、高性能窒化アルミニウム(AlN)セラミックを使用したEasyモジュールは、RthJHの熱性能を大幅に向上させます。
PressFIT コンタクト技術、窒化アルミニウム セラミックを採用しています。
当社のCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースターなどさまざまな構成で提供しており、1200 V および2000 V のSiC MOSFETモジュールは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失および導通損失により、ゲート酸化膜の優れた信頼性を実現しています。
すべてのEasyPACK™、EasyDUAL™、62mmパッケージのCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールにおいて、熱インターフェース材料 (TIM) の事前塗布や、その他追加機能をオプションとして提供しています。 例えば、高性能窒化アルミニウム(AlN)セラミックを使用したEasyモジュールは、RthJHの熱性能を大幅に向上させます。
カタログについて
- カタログ名
- 高性能セラミックを使用したEasy Bシリーズ CoolSiC™ M1H 2 kV
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- DCDCコンバータ パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
