1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2 (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2
製品個別カタログ
カタログ紹介
★上面放熱Q-DPAK デュアル ハーフブリッジ パッケージ
のIMCQ120R0xxM2HH
上面放熱Q-DPAKシングルスイッチ パッケージの1200 VディスクリートCoolSiC™MOSFET G2は、EV充電、太陽光発電、無停電電源装置 (UPS)、SSCB、産業用ドライブ、
AI、CAVなど、幅広い産業アプリケーションに特化して設計されています。
Q-DPAKパッケージは、優れた放熱性と容易な組み立てによりシステムコストの削減を実現します。底面放熱ソリューションに比べて、上面放熱デバイスは、より最適化されたPCBレイアウトを実現し、寄生部品や浮遊インダクタンスの影響を低減するとともに、熱管理機能が向上を提供します。
■主な特長
● SMD上面放熱パッケージ
● 低い浮遊インダクタンス
● 優れたスイッチング性能とFOM係数の1200V CoolSiC™
MOSFET G2技術
● .XT相互接続技術
● きわめて低いRDs(on)
● 耐トラッキング指数 (CTI) 600 V以上のモールド化合物 および沿面距離 4.8mm以上のモールド溝
● 耐湿性
●アバランシェ耐性、短絡保護、PTO
■主な利点
● 高い電力密度
● 自動組立が可能
● 複雑な設計が不要に
● BSC（底面放熱）パッケージと比べ高い放熱性
● システム電力損失の改善
● 汚染度2で950 VRMSを許容
● 高い信頼性
● TCOコストまたはBOMコストの削減
のIMCQ120R0xxM2HH
上面放熱Q-DPAKシングルスイッチ パッケージの1200 VディスクリートCoolSiC™MOSFET G2は、EV充電、太陽光発電、無停電電源装置 (UPS)、SSCB、産業用ドライブ、
AI、CAVなど、幅広い産業アプリケーションに特化して設計されています。
Q-DPAKパッケージは、優れた放熱性と容易な組み立てによりシステムコストの削減を実現します。底面放熱ソリューションに比べて、上面放熱デバイスは、より最適化されたPCBレイアウトを実現し、寄生部品や浮遊インダクタンスの影響を低減するとともに、熱管理機能が向上を提供します。
■主な特長
● SMD上面放熱パッケージ
● 低い浮遊インダクタンス
● 優れたスイッチング性能とFOM係数の1200V CoolSiC™
MOSFET G2技術
● .XT相互接続技術
● きわめて低いRDs(on)
● 耐トラッキング指数 (CTI) 600 V以上のモールド化合物 および沿面距離 4.8mm以上のモールド溝
● 耐湿性
●アバランシェ耐性、短絡保護、PTO
■主な利点
● 高い電力密度
● 自動組立が可能
● 複雑な設計が不要に
● BSC（底面放熱）パッケージと比べ高い放熱性
● システム電力損失の改善
● 汚染度2で950 VRMSを許容
● 高い信頼性
● TCOコストまたはBOMコストの削減
カタログについて
- カタログ名
- 1200 VディスクリートCoolSiC™ MOSFET G2
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- バッテリーマネージメント パワーMOSFET マイクロコントローラー
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
