OptiMOS™ 7 40 V S3O8 Automotive MOSFET (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
OptiMOS™ 7 40 V S3O8 Automotive MOSFET
製品個別カタログ
カタログ紹介
インフィニオンは、銅クリップを採用した先進的な3×3mm²のリードレスパッケージに搭載された、大電流、低RDS(on)で、低パッケージRDS(on)と最小レベルの浮遊インダクタンスを実現した新型パワーMOSFET製品ラインナップを発表しました。
従来のリード付きパッケージに比べ、小型化を実現しつつ、高い電力密度、低い導通損失、最適化されたスイッチング特性を実現します。
これによりインフィニオンは、電力分配、ボディ制御モジュール、電動モーターなど、多くの車載アプリケーションに理想的なソリューションを提供します。
■主な特長
● 小型フットプリント3x3 mm²
● 大電流容量60 A
● 最先端のOptiMOS™ 7 40 V技術
● RDS(on) 範囲: 1.2 mΩ～4.9 mΩ
●銅クリップを採用した先進的なリードレスパッケージ、
最小レベルの浮遊インダクタンス
●高アバランシェ耐性、高 (安全動作領域 (SOA)) 耐久性
■主な利点
● 高電力密度、高効率
● 放熱効果の高いリードフレームパッケージ
● 導通損失の低減
● スイッチング動作の最適化
● 従来のDPAK / D2PAKパッケージにくらべて小型
● JEDEC業界標準パッケージPG-TSDSON-8
従来のリード付きパッケージに比べ、小型化を実現しつつ、高い電力密度、低い導通損失、最適化されたスイッチング特性を実現します。
これによりインフィニオンは、電力分配、ボディ制御モジュール、電動モーターなど、多くの車載アプリケーションに理想的なソリューションを提供します。
■主な特長
● 小型フットプリント3x3 mm²
● 大電流容量60 A
● 最先端のOptiMOS™ 7 40 V技術
● RDS(on) 範囲: 1.2 mΩ～4.9 mΩ
●銅クリップを採用した先進的なリードレスパッケージ、
最小レベルの浮遊インダクタンス
●高アバランシェ耐性、高 (安全動作領域 (SOA)) 耐久性
■主な利点
● 高電力密度、高効率
● 放熱効果の高いリードフレームパッケージ
● 導通損失の低減
● スイッチング動作の最適化
● 従来のDPAK / D2PAKパッケージにくらべて小型
● JEDEC業界標準パッケージPG-TSDSON-8
カタログについて
- カタログ名
- OptiMOS™ 7 40 V S3O8 Automotive MOSFET
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
