CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 D2PAKパッケージ 10/26/33/60 mΩ (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 D2PAKパッケージ 10/26/33/60 mΩ
製品個別カタログ
カタログ紹介
D2PAK 7ピンパッケージのCoolSiC™ MOSFETディスクリート650 V G2のポートフォリオが強化され、10、26、33、60 mΩのオプションが追加されました。
この強化により、RDS(on)の範囲がさらに細かくなり、7 mΩから60 mΩまでになりました。
CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 (D2PAK-7 (TO-263-7) パッケージ) は、第1世代技術の堅牢な基盤を継承した製品で,
システム設計を加速化し、コスト効率がさらに向上し、効率的、コンパクト、かつ信頼性の高いソリューションを提供します。第2世代では、ハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方に適した、主要な性能指標が大幅に向上しています。
こうした進化により、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのさまざまな一般的な構成に最適です
CoolSiC™ MOSFETは、冷却労力の削減、長寿命、およびより高い信頼性のために最高の効率を提供します。より高い周波数動作、システムコストの削減、電力密度の向上、システムの複雑さの軽減、および設計と実装の容易さも実現します。
主な利点は、デバイスの寄生容量が低いこと、温度依存の小さいスイッチング損失、逆回復電荷が少ないボディダイオード、および閾値電圧フリーのオン特性です。CoolSiC™ MOSFETは、例えば、太陽光発電インバーター、バッテリー充電およびマネージメント、サーバーと通信電源、サーボおよびモータードライブ、蓄電とUPS、産業用SMP、および補助電源など、様々なアプリケーションで使用できます。
この強化により、RDS(on)の範囲がさらに細かくなり、7 mΩから60 mΩまでになりました。
CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 (D2PAK-7 (TO-263-7) パッケージ) は、第1世代技術の堅牢な基盤を継承した製品で,
システム設計を加速化し、コスト効率がさらに向上し、効率的、コンパクト、かつ信頼性の高いソリューションを提供します。第2世代では、ハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方に適した、主要な性能指標が大幅に向上しています。
こうした進化により、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのさまざまな一般的な構成に最適です
CoolSiC™ MOSFETは、冷却労力の削減、長寿命、およびより高い信頼性のために最高の効率を提供します。より高い周波数動作、システムコストの削減、電力密度の向上、システムの複雑さの軽減、および設計と実装の容易さも実現します。
主な利点は、デバイスの寄生容量が低いこと、温度依存の小さいスイッチング損失、逆回復電荷が少ないボディダイオード、および閾値電圧フリーのオン特性です。CoolSiC™ MOSFETは、例えば、太陽光発電インバーター、バッテリー充電およびマネージメント、サーバーと通信電源、サーボおよびモータードライブ、蓄電とUPS、産業用SMP、および補助電源など、様々なアプリケーションで使用できます。
カタログについて
- カタログ名
- CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 D2PAKパッケージ 10/26/33/60 mΩ
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
