沿面距離を確保したTO-247 4ピンパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET G2 1400 V (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
沿面距離を確保したTO-247 4ピンパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET G2 1400 V
製品個別カタログ
カタログ紹介
十分な沿面距離を確保したパッケージとSiC技術とを組み合わせた製品です。
1000 Vを超えるバス電圧での設計が可能です。既存のアプリケーションに電圧マージンの拡大と信頼性の向上を同時に提供します。
さらに、高スイッチング周波数動作が可能なため、高い効率を実現します。
既存製品とのピン互換性により、太陽光発電 (PV)、電気自動車 (EV) 充電、エネルギー貯蔵システム (ESS) など、さまざまな産業アプリケーションに適しています。
■主な特長
● VDSS = 1400 V (Tvj = 25°C時)
● RDS(on) = 11 mΩ (VGS = 18 V, Tvj = 25°C時)
● きわめて低いスイッチング損失により高効率を実現
● 短絡耐量時間 2 µs
● 広いVGS範囲: －10 V～+25 V
● IGBT並みの閾値電圧: VGS(th) = 4.2 V
■主な利点
● 高い電力密度
● 全体的なシステム効率の向上
● システム出力の向上
● 冷却最適化の強化
● 容易なシステム設計
1000 Vを超えるバス電圧での設計が可能です。既存のアプリケーションに電圧マージンの拡大と信頼性の向上を同時に提供します。
さらに、高スイッチング周波数動作が可能なため、高い効率を実現します。
既存製品とのピン互換性により、太陽光発電 (PV)、電気自動車 (EV) 充電、エネルギー貯蔵システム (ESS) など、さまざまな産業アプリケーションに適しています。
■主な特長
● VDSS = 1400 V (Tvj = 25°C時)
● RDS(on) = 11 mΩ (VGS = 18 V, Tvj = 25°C時)
● きわめて低いスイッチング損失により高効率を実現
● 短絡耐量時間 2 µs
● 広いVGS範囲: －10 V～+25 V
● IGBT並みの閾値電圧: VGS(th) = 4.2 V
■主な利点
● 高い電力密度
● 全体的なシステム効率の向上
● システム出力の向上
● 冷却最適化の強化
● 容易なシステム設計
カタログについて
- カタログ名
- 沿面距離を確保したTO-247 4ピンパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET G2 1400 V
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
