.XT技術を使用したXHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報

EVAL-2ED21814 - 650 V / 2.5 A ブートストラップダイオード内蔵ハーフブリッジゲートドライバー 2ED21814S06F用評価ボード

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

EVAL_XDP710_V2 - XDP710用評価ボード

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

EconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

評価ボード REF_1KW_PSU_5G_GAN

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

PQFN (5 x 6 mm) およびPQFN (3.3 x 3.3 mm) パッケージに搭載されたOptiMOS™ Linear FET, 60 V～200 V

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

TRAVEO™ T2G CYT4DN

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

OptiMOS™Dual MOSFET 30 Vおよび40 V、SO-8パッケージ搭載

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

PQFNパッケージ (2 x 2mm2) 搭載のOptiMOS™ 6 Power MOSFET

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

MOTIX™ TLE989x 32ビットモーター制御SoCソリューション

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

PQFN (5 x 6 mm) およびPQFN (3.3 x 3.3 mm) パッケージに搭載されたOptiMOS™ Linear FET, 60 V～200 V

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

OptiMOS™ 6 40 V SSO10T – インフィニオンの上面放熱 (TSC) 車載用MOSFETパッケージ

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2、Thin-TOLL 8x8パッケージ

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

Power MOSFET (Si/SiC)

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パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

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パワー 窒化ガリウム (GaN)

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パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

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パワー リニア電圧レギュレーター (LDO)

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パワー ライティングIC

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パワー ダイオードとサイリスタ (Si/SiC)

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パワー ゲートドライバーIC

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パワー モーター制御IC

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パワー ソリッドステートリレー

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メモリ NORフラッシュ

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デジタルアイソレーター

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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Power MOSFET (Si/SiC)

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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オプト-MOSFETリレー (60V To 600V)

Bright Toward Industrial Co., Ltd

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SiC MOSFETリレー (1500Vから6600V)

Bright Toward Industrial Co., Ltd

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オプト-MOSFETリレー (AEC-Q101)

Bright Toward Industrial Co., Ltd

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スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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MOSFET

二松電気株式会社

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フォトDMOS-FETリレー、フォトカプラー、フォトインタラプタ、近接スイッチ、リードスイッチ

二松電気株式会社

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アナログIC MOSFET トランジスタ ダイオード

二松電気株式会社

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トランジスタ、ダイオード

二松電気株式会社

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ダイオード、トランジスタ、MOSFET

二松電気株式会社

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ダイオード、トランジスタ、MOS-FET

二松電気株式会社

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SiC MOSFET

株式会社三社電機製作所

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