ラインナップ拡大: CoolSiC™ MOSFET ディスクリート 1200 V G2、上面放熱Q-DPAKパッケージ: IMCQ120R0xxM2H (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
ラインナップ拡大: CoolSiC™ MOSFET ディスクリート 1200 V G2、上面放熱Q-DPAKパッケージ: IMCQ120R0xxM2H
製品個別カタログ
カタログ紹介
上面放熱型Q-DPAKシングルスイッチ パッケージに搭載されたCoolSiC™MOSFET discrete 1200 Vは、EV 充電、太陽光発電、無停電電源装置 (UPS)、ソリッドステートサーキットブレーカー (SSCB)、産業用ドライブ、AI、CAVなど、幅広い産業アプリケーションでの使用に特化して設計されています。
Q-DPAK優れた熱性能、容易な組み立てによるシステムコストの削減を実現します。底面放熱ソリューションに比べ、上面放熱デバイスは最適化されたPCBレイアウトにより寄生コンポーネントの影響や不要なインダクタンスを低減し、熱管理性能をも強化できます。
■主な特長
● SMD上面放熱パッケージ
● 低浮遊インダクタンス
● 優れたスイッチング性能とFOM係数の1200V CoolSiC™
MOSFET G2技術
●.XT相互接続技術
● 耐トラッキング指数 (CTI) 600 V以上のモールド化合物
および沿面距離 4.8mm以上のモールド溝
● 耐湿性
● アバランシェ耐性、短絡保護、PTO
■主な利点
● 高い電力密度
●自動組立が可能
● 複雑な設計が不要に
● BSC (底面放熱) パッケージと比べ高い放熱性
● システム電力損失の改善
● 汚染度2で950 VRMSを許容
● 高い信頼性
●TCOコストまたはBOMコストの削減
Q-DPAK優れた熱性能、容易な組み立てによるシステムコストの削減を実現します。底面放熱ソリューションに比べ、上面放熱デバイスは最適化されたPCBレイアウトにより寄生コンポーネントの影響や不要なインダクタンスを低減し、熱管理性能をも強化できます。
■主な特長
● SMD上面放熱パッケージ
● 低浮遊インダクタンス
● 優れたスイッチング性能とFOM係数の1200V CoolSiC™
MOSFET G2技術
●.XT相互接続技術
● 耐トラッキング指数 (CTI) 600 V以上のモールド化合物
および沿面距離 4.8mm以上のモールド溝
● 耐湿性
● アバランシェ耐性、短絡保護、PTO
■主な利点
● 高い電力密度
●自動組立が可能
● 複雑な設計が不要に
● BSC (底面放熱) パッケージと比べ高い放熱性
● システム電力損失の改善
● 汚染度2で950 VRMSを許容
● 高い信頼性
●TCOコストまたはBOMコストの削減
カタログについて
- カタログ名
- ラインナップ拡大: CoolSiC™ MOSFET ディスクリート 1200 V G2、上面放熱Q-DPAKパッケージ: IMCQ120R0xxM2H
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- SiC MOSFET パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
