TO-247PLUS-4 リフローパッケージ搭載 CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
TO-247PLUS-4 リフローパッケージ搭載 CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V
製品個別カタログ
カタログ紹介
TO-247PLUS-4 リフロー パッケージに搭載されたoolSiC™ MOSFET ディスクリート1400 Vは、EV充電、ESS、CAVなどの大出力アプリケーションに適しています。
CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V技術は、優れた熱性能、電力密度の向上、高い信頼性を実現する最先端技術です。パッケージは、リフローに対応しており (最大3回のリフローハンダ付けが可能)、熱抵抗を低減し、高いピーク電流に対応します。
■主な特長
●きわめて低いスイッチング損失
●パッケージの裏面は260℃のリフローはんだ付けに最適(最大3回まで)
●Tvj = 200°Cまで過負荷での動作が可能
● 短絡耐量時間 2 µs
● IGBT並みの閾値電圧、VGS(th)=4.2V
● 寄生ターンオンに対する堅牢性、0 Vターンオフゲート電圧を印加可能
● 転流向け本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
● .XT相互接合技術によりクラス最高の放熱性能
● 幅広のパワー端子 (2 mm) による大電流対応
● バスバーに直接接続が可能な抵抗溶接対応ピン
● 沿面距離 (10.8 mm) を確保したTO247PLUSパッケージ、CTI ≥600 V
■主な利点
● 電力密度の向上
● システム出力の向上
● 全体的な効率の向上
● 過渡的な過負荷、アバランシェ、ミラー効果に対する高い耐量
● 過電流に対応したシステム設計が容易
● 並列化が容易
CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V技術は、優れた熱性能、電力密度の向上、高い信頼性を実現する最先端技術です。パッケージは、リフローに対応しており (最大3回のリフローハンダ付けが可能)、熱抵抗を低減し、高いピーク電流に対応します。
■主な特長
●きわめて低いスイッチング損失
●パッケージの裏面は260℃のリフローはんだ付けに最適(最大3回まで)
●Tvj = 200°Cまで過負荷での動作が可能
● 短絡耐量時間 2 µs
● IGBT並みの閾値電圧、VGS(th)=4.2V
● 寄生ターンオンに対する堅牢性、0 Vターンオフゲート電圧を印加可能
● 転流向け本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
● .XT相互接合技術によりクラス最高の放熱性能
● 幅広のパワー端子 (2 mm) による大電流対応
● バスバーに直接接続が可能な抵抗溶接対応ピン
● 沿面距離 (10.8 mm) を確保したTO247PLUSパッケージ、CTI ≥600 V
■主な利点
● 電力密度の向上
● システム出力の向上
● 全体的な効率の向上
● 過渡的な過負荷、アバランシェ、ミラー効果に対する高い耐量
● 過電流に対応したシステム設計が容易
● 並列化が容易
カタログについて
- カタログ名
- TO-247PLUS-4 リフローパッケージ搭載 CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- SiC MOSFET パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
