将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39 mΩの超低Ronを実現した、OptiMOS™ 7 40 V新製品 ファミリー、sTOLL 7x8 mm2 パッケージ (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報

BGA P2 プリドライバー_無線インフラ用5 Vプリドライバー

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Power PROFET™ + 12V – BTS50007-1LUA

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OptiMOS™ 6 パワー MOSFET 200 V

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1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

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1200 V IGBT/SiCモジュールおよびディスクリート用三相ゲートドラ イバー: ブートストラップダイオード内蔵、DSO-24パッケージ、過電 流保護、より細かなUVLO保護機能を搭載

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EVAL-IMI111T-026

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650 V CoolMOS™ CFD7 スーパージャンクション MOSFET、QDPAK および TO-Leadless パッケージ

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

OptiMOS™ 6 パワー MOSFET 120 V

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100V耐圧 デュアルMOSFET - HP8KEx/HT8KExシリーズ、HP8ME5

ローム株式会社

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2　第二世代SiC

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OptiMOS™ 7 車載MOSFET向け40 V製品テクノロジー

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KIT_LGMB_BOM004 - 低電圧駆動スケーラブル パワー デモボード用キット マスター マザーボード

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メモリ NORフラッシュ

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デジタルアイソレーター

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メモリ F-RAM (強誘電体メモリ)

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産業用絶縁型インターフェイス

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Power MOSFET (Si/SiC)

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セキュリティ&スマートカードソリューションズ スマートカードモジュール

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パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

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磁気センサー

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パワー 窒化ガリウム (GaN)

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車載および産業用電流センサー

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パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

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センサ MEMSマイクロフォン

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Power MOSFET (Si/SiC)

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ディスクリート / SiC MOSFET

株式会社三社電機製作所

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半導体製品 AC/DCコンバータIC MOS内蔵 擬似共振 (Quasi-Resonant: QR) 方式

サンシン電気株式会社

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スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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スーパージャンクションMOSFET Gen2 (Superjunction MOSFET Gen2)

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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MOSFET

二松電気株式会社

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