PQFN 8x6パッケージ搭載OptiMOS™ 60 V パワーMOSFET (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
PQFN 8x6パッケージ搭載OptiMOS™ 60 V パワーMOSFET
製品個別カタログ
カタログ紹介
PQFNパッケージのOptiMOS™ 60 V パワーMOSFETは、インフィニオンのMOSFETテクノロジーと超低寄生インダクタンスのコンパクトパッケージを組み合わせ製品です。
これにより、あらゆる電源システムにおいて、業界で最小のRDS(on)および最大の電力密度を実現し、スイッチング/導通損失および電流耐量が大幅に改善されています。低いパッケージ抵抗と高い電流処理能力が求められる幅広い電池駆動、電池保護、電池形成アプリケーションに対応し、低周波スイッチングおよび高周波スイッチング共に適しています。
MOSFETのPQFN 8x6ファミリーは、コンパクトなリードレスパッケージ (8x6mm) で提供され、最終製品の物理面積と総BOMを削減します。改善されたRDS(on)およびドレイン電流 (ID) 定格 (連続およびパルス) により、バッテリー駆動時間の延長、電力密度を向上させます。本パッケージのユニークな利点に、PQFN 5x6とのフットプリント互換性があり、同じ基板を高、中、低電力ソリューションに使用できます。
■主な特長
● コンパクトなパッケージサイズ (8x6mm) で高い電流耐量を実現
● 業界で最も低いRDS(on)とFOM
● 超低パッケージ寄生容量 (抵抗およびインダクタンス)のリードレスパッケージ
● 最新のOptiMOS™ MOSFET技術
● PQFN 5x6とフットプリント互換
■主な利点
● 電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能
●超低導通損失、低発熱、少ないデバイス並列
● 低EMI
● 最高クラスの電力密度と電力効率で優れた性能を発揮
●さまざまな電力レベルに対応するスケーラブルでシンプルなPCB設計
これにより、あらゆる電源システムにおいて、業界で最小のRDS(on)および最大の電力密度を実現し、スイッチング/導通損失および電流耐量が大幅に改善されています。低いパッケージ抵抗と高い電流処理能力が求められる幅広い電池駆動、電池保護、電池形成アプリケーションに対応し、低周波スイッチングおよび高周波スイッチング共に適しています。
MOSFETのPQFN 8x6ファミリーは、コンパクトなリードレスパッケージ (8x6mm) で提供され、最終製品の物理面積と総BOMを削減します。改善されたRDS(on)およびドレイン電流 (ID) 定格 (連続およびパルス) により、バッテリー駆動時間の延長、電力密度を向上させます。本パッケージのユニークな利点に、PQFN 5x6とのフットプリント互換性があり、同じ基板を高、中、低電力ソリューションに使用できます。
■主な特長
● コンパクトなパッケージサイズ (8x6mm) で高い電流耐量を実現
● 業界で最も低いRDS(on)とFOM
● 超低パッケージ寄生容量 (抵抗およびインダクタンス)のリードレスパッケージ
● 最新のOptiMOS™ MOSFET技術
● PQFN 5x6とフットプリント互換
■主な利点
● 電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能
●超低導通損失、低発熱、少ないデバイス並列
● 低EMI
● 最高クラスの電力密度と電力効率で優れた性能を発揮
●さまざまな電力レベルに対応するスケーラブルでシンプルなPCB設計
カタログについて
- カタログ名
- PQFN 8x6パッケージ搭載OptiMOS™ 60 V パワーMOSFET
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- パワーMOSFET
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
