EVAL-2EDGAN-INV-1KW 3相、1 kWインバーターボード (インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社) のカタログ情報
EVAL-2EDGAN-INV-1KW 3相、1 kWインバーターボード
製品個別カタログ
カタログ紹介
インフィニオン製シリコン イン インシュレーター (SOI) EiceDRIVER™ゲートドライバーIC (2ED21064S06J) とCoolGaN™トランジスタ650 V G5(IGT65R055D2) を搭載した、すぐに使用可能な家電製品および汎用モーター制御向けの3相1 kWインバーターボードです。
GaNベースの基板は、シリコンベースの設計に比べ、ヒートシンク不要の設計を最大1 kWまで実現し、製造コストと輸送コストを削減します。
2ED21064S06Jなどの分割グランド ゲート ドライバーは、望ましいゲート ループ インダクタンスを維持しながら2層PCBを設計することができ、コストと性能の最適なトレードオフを実現します。
■主な特長
●レベルシフトゲートドライバを内蔵したすぐに使える、家電製品その他モーター駆動アプリケーション向けの3相GaN HEMTインバーター
● ヒートシンクや強制空冷なしで出力1000 W
● 分割グランド ゲート ドライバーは2層PCB設計が可能
● 出力電流 3.2 Arms
■主な利点
● シリコンベース設計に比べ、最大70°Cで動作が可能な
ヒートシンクが不要な設計
●3レッグシャント
● ゲートキル ジェネレーター
●基板上で15 Vおよび5 V電源を生成
● AC180～240 Vで動作
GaNベースの基板は、シリコンベースの設計に比べ、ヒートシンク不要の設計を最大1 kWまで実現し、製造コストと輸送コストを削減します。
2ED21064S06Jなどの分割グランド ゲート ドライバーは、望ましいゲート ループ インダクタンスを維持しながら2層PCBを設計することができ、コストと性能の最適なトレードオフを実現します。
■主な特長
●レベルシフトゲートドライバを内蔵したすぐに使える、家電製品その他モーター駆動アプリケーション向けの3相GaN HEMTインバーター
● ヒートシンクや強制空冷なしで出力1000 W
● 分割グランド ゲート ドライバーは2層PCB設計が可能
● 出力電流 3.2 Arms
■主な利点
● シリコンベース設計に比べ、最大70°Cで動作が可能な
ヒートシンクが不要な設計
●3レッグシャント
● ゲートキル ジェネレーター
●基板上で15 Vおよび5 V電源を生成
● AC180～240 Vで動作
カタログについて
- カタログ名
- EVAL-2EDGAN-INV-1KW 3相、1 kWインバーターボード
- 取り扱い企業
- インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
- 会社区分
- メーカー
- 該当カテゴリ
- 評価ボード
- カタログタイプ
- 製品個別カタログ
